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A Model of Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition
ABSTRACT
考虑了 36 种气态的分子。有一些实验的验证。
第二段
考虑的气体为 SiH4 C3H8，载气为 H2，一个大气压。 考虑了气态中的反应，也考虑了分子与表面碰撞的反应。
Chemical Reaction Mechanism
SiH4 C3H8 的分解已经被研究得差不多了，缺少研究的是分解产物与表面的反应。
Gas-phase chemistry
这一章是考虑气态的内容。一些分子没有考虑（例如超过四个 C 的分子，同时包含 C 和 Si 的分子）， 因为一般认为这样的分子很少。