# A Model of Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition

## ABSTRACT

考虑了 36 种气态的分子。有一些实验的验证。

## 第二段

考虑的气体为 SiH4 C3H8，载气为 H2，一个大气压。
考虑了气态中的反应，也考虑了分子与表面碰撞的反应。

## Chemical Reaction Mechanism

SiH4 C3H8 的分解已经被研究得差不多了，缺少研究的是分解产物与表面的反应。

### Gas-phase chemistry

这一章是考虑气态的内容。一些分子没有考虑（例如超过四个 C 的分子，同时包含 C 和 Si 的分子），
  因为一般认为这样的分子很少。

### Surface reactions