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SiC/A Model of Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition.md

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+# A Model of Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition
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+## ABSTRACT
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+考虑了 36 种气态的分子。有一些实验的验证。
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+## 第二段
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+考虑的气体为 SiH4 C3H8，载气为 H2，一个大气压。
+考虑了气态中的反应，也考虑了分子与表面碰撞的反应。
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+## Chemical Reaction Mechanism
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+SiH4 C3H8 的分解已经被研究得差不多了，缺少研究的是分解产物与表面的反应。
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+### Gas-phase chemistry
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+这一章是考虑气态的内容。一些分子没有考虑（例如超过四个 C 的分子，同时包含 C 和 Si 的分子），
+  因为一般认为这样的分子很少。
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+### Surface reactions
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SiC/Burton-Cabrera-Frank theory for surfaces with alternating step types.md

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+# Burton-Cabrera-Frank theory for surfaces with alternating step types
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+## Abstract
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SiC/Estimation of supersaturation at steps during chemical vapor deposition of 4H-SiC (0001) from reported growth rate and cross-sectional profile of spiral hillock.md

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+# Estimation of supersaturation at steps during chemical vapor deposition of 4H-SiC (0001) from reported growth rate and cross-sectional profile of spiral hillock

SiC/GAS PHASE KINETICS ANALYSIS AND IMPLICATIONS FOR SILICON CARBIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION.md

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+# GAS PHASE KINETICS ANALYSIS AND IMPLICATIONS FOR SILICON CARBIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

SiC/Step-Controlled Epitaxial Growth of High-Quality SiC Layers.md

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+# Step-Controlled Epitaxial Growth of High-Quality SiC Layers
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+这里提到两篇可能重要的文章：
+* 29 和 30 分析了空中的团簇的组成。
+* 31 提到，当输入的 C/Si 比为 2 时，有效的 C/Si 比要高得多，大约为 100。
+* 39 提到一个岛状生长和台阶流外延的转换点的计算方法。(BCF)
+* 62 提到重掺 Al 在 C 面长不好的一个原因：三甲基铝中的 C 会导致 C 变多，导致表面迁移被抑制。