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# A Model of Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition
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## ABSTRACT
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考虑了 36 种气态的分子。有一些实验的验证。
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## 第二段
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考虑的气体为 SiH4 C3H8，载气为 H2，一个大气压。
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考虑了气态中的反应，也考虑了分子与表面碰撞的反应。
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## Chemical Reaction Mechanism
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SiH4 C3H8 的分解已经被研究得差不多了，缺少研究的是分解产物与表面的反应。
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### Gas-phase chemistry
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这一章是考虑气态的内容。一些分子没有考虑（例如超过四个 C 的分子，同时包含 C 和 Si 的分子），
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因为一般认为这样的分子很少。
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### Surface reactions
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