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Springer Handbook of Surface Science
5. Ab Initio Simulations of Semiconductor and Interfaces
Abstract
本文不会介绍很多的方法，而会通篇只介绍一种方法，会使用这一种方法来计算各种与表面和界面有关的实际问题。
5.1 Overview
Furthermore, implementations of hybrid functionals or Hubbard corrections allow us to study the effects of a strongly correlated electron gas, which are difficult to describe in the pure, in principle exact, DFT formulation, based on a nearly homogeneous electron-gas treatment of the electron density, without severe trade-offs in computational cost.
5.2 Theoretical Framework
主要还用的 PBE 的方法，算能带的时候会 +U。
使用 QE。
5.2.1 Surface Relaxation and Reconstruction
金属和非极性表面的表面重构通常不太剧烈。 对于 SiC 来说，它的一部分表面属于这种情况，但另一部分表面的重构会比较严重（通常使用的 0001 面是这种情况）。
SiC Growth
他们认为，Si 面上 SiC 生长时，会先在正确的位置上吸附一个 Si，然后再在 Si-Si 之间插入 C。
Hydrogen at SiC
这里讨论了 3C-SiC 100 面上的 H 的情况。