# Springer Handbook of Surface Science

## 5. Ab Initio Simulations of Semiconductor and Interfaces

### Abstract

本文不会介绍很多的方法，而会通篇只介绍一种方法，会使用这一种方法来计算各种与表面和界面有关的实际问题。

### 5.1 Overview

Furthermore, implementations of hybrid functionals or Hubbard corrections
  allow us to study the effects of a strongly correlated electron gas,
  which are difficult to describe in the pure, in principle exact, DFT formulation,
  based on a nearly homogeneous electron-gas treatment of the electron density,
  without severe trade-offs in computational cost.

### 5.2 Theoretical Framework

主要还用的 PBE 的方法，算能带的时候会 +U。

使用 QE。

#### 5.2.1 Surface Relaxation and Reconstruction

金属和非极性表面的表面重构通常不太剧烈。
对于 SiC 来说，它的一部分表面属于这种情况，但另一部分表面的重构会比较严重（通常使用的 0001 面是这种情况）。

##### SiC Growth

他们认为，Si 面上 SiC 生长时，会先在正确的位置上吸附一个 Si，然后再在 Si-Si 之间插入 C。

##### Hydrogen at SiC

这里讨论了 3C-SiC 100 面上的 H 的情况。

### 5.3 Surface/Molecule Interaction