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103adebbfd
@ -0,0 +1,17 @@
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# A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces
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## Abstract
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我们提出了一个研究半导体表面吸附和脱附的新方法。
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新方法基于第一性原理计算和气相的自由能,因此我们可以计算吸附和脱附与温度和 beam equivalent pressure (BEP) 的关系。
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我们以一个 GaAs 的吸附表面作了例子。
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## 1. Introduction
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我们用第一性原理计算和蒙特卡罗模拟来研究了 GaAs 的表面。
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然而这些方法本来是用来研究基态的结构稳定性的,因此没有考虑温度和 BEP 的影响。
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因此我们提出了一个新的方法,因为考虑了气相的自由能,所以把温度和 BEP 的影响考虑进来了。
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## 2. Computational methods
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BIN
SiC/A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces.pdf
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BIN
SiC/A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces.pdf
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@ -1,3 +1,5 @@
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完成
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# Ab initio study for adsorption and desorption behavior at step edges of GaN (0001) surface
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## Abstract
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@ -10,7 +12,7 @@
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* 在富 Ga 的情况下,Ga 的 ESB 小到可以忽略。
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* 这些结论表明,在富 Ga 的情况下,岛倾向于在远离台阶的地方形成,与实现符合。
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## Introduction
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## 1. Introduction
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长 GaN 时也会有台阶的问题,同时有时会形成一些岛。
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控制斜切角度和三五族材料的比例可以控制表面的形貌。
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@ -27,6 +29,50 @@ TODO: 这里的理解是正确的吗?
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按照之前的文献,在单层台阶上,更容易在远离台阶的地方形成岛(2 ML 的 Ga),也就是 ESB 不存在;
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在双层台阶上,更容易在台阶附近形成岛(1 ML 的 Ga),因此双层台阶上 ESB 存在。
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在我们之前的研究中,我们已经在平面上讨论了温度压强等的影响。今天我们来讨论台阶的问题。
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在我们之前的研究中,我们已经在平面上讨论了温度压强等的影响。
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TODO: 看一看。
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今天我们来讨论台阶附近 ESB 的影响,包括 Ga N 两种吸附原子,包括台阶附近和平台上两种环境。
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## 2. Methods and models
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PW-GGA 的 DFT。
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Ga 使用模守恒赝势,N 使用超软赝势。
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Ga 的 d 轨道使用 nonlinear core correction。我们发现将 d 电子作为价电子或者价带的结果差不多。
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TODO: 这是什么?
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无论是电子自洽还是离子弛豫,都使用共轭梯度下降法。
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一个单元取 216 个 k 点。
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本文中我们考虑的是 MBE 生长。
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建立的模型是一个无限的模型,包含了两种台阶。
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建立模型时考虑了 electron counting (EC) rule。
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TODO: 这是什么?
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我们建立模型时也考虑了之前报道中关于 GaN 0001 面的重构结构。
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在富 N 和略微富 Ga 和的情况下,我们分别在表面吸附了 Ga 和 N(2x2 的吸附)。同时还考虑了非常富 Ga 的情况(吸附了一层或两层的 Ga)。
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为了考量在不同情况下哪个台阶结构最稳定,我们计算了每个台阶带化学势的形成能。
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吸附原子的位置是这样算出来的:根据在平面上吸附的结果来确定一个初始位置,然后在 1-100 方向上固定原子,只在其它两个方向上优化吸附原子的位置。
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## 3. Results and discussion
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关于模型的稳定性:在富 N 和略微富 Ga 的情况下,吸附几个 Ga 原子的模型最稳定;
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更富 Ga 的情况下,Ga 覆盖一层更稳定;继续富 Ga,Ga 覆盖两层更稳定。
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注意在不同的模型中,台阶附近的成键是不同的,这会影响之后的生长。
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两种台阶的形成能是不同的。
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对于吸附 Ga 原子的情况,在台阶 B 附近,Ga 的形成能是最低的,比平面上低得多,这表明 Ga 原子在这种情况下很容易长到台阶边上。
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另外,台阶边缘存在 Ga-Ga 键,这导致 Ga 从台阶上迁移到台阶下需要克服一个很大的能量,这个叫 ESB。
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对于台阶 A,ESB 是 1.0 ev,对于台阶 B,ESB 是 -1.2 eV。
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另外,估计台阶边缘的 Ga-Ga 双原子中,一个 Ga 在 1000 K 下很容易飞到空中。
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TODO: 这里 Ga 的气态的化学势是怎么计算出来的?
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计算出来的 Ga 吸附能对于 A B 台阶分为为 1.27 和 -0.78 eV,说明更容易吸附到台阶 B。
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再来看 N 的情况。
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N 更容易吸附在平面上,并且比 Ga 的吸附能要低很多(负数的绝对值更大)。
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由于 N 在最好的那个位置的吸附要比其它位置能量低得多,因此认为 N 几乎不迁移。
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有研究报道,存在 Ga 时,N 的迁移势垒更低,但在我们的模型中,没有发现提前吸附的 Ga 会对 N 产生很大的影响。
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N 在 A B 台阶附近的吸附能分别为 0.75 0.57 eV。
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类似地,还讨论了另外两个模型(一层 Ga 和两层 Ga)的情况。
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总之,Ga 应该比 N 迁移得快得多,并且 ESB 的存在与否与表面的情况有很大关系。
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@ -16,3 +16,23 @@ Furthermore, implementations of hybrid functionals or Hubbard corrections
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### 5.2 Theoretical Framework
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主要还用的 PBE 的方法,算能带的时候会 +U。
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使用 QE。
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#### 5.2.1 Surface Relaxation and Reconstruction
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金属和非极性表面的表面重构通常不太剧烈。
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对于 SiC 来说,它的一部分表面属于这种情况,但另一部分表面的重构会比较严重(通常使用的 0001 面是这种情况)。
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##### SiC Growth
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他们认为,Si 面上 SiC 生长时,会先在正确的位置上吸附一个 Si,然后再在 Si-Si 之间插入 C。
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##### Hydrogen at SiC
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这里讨论了 3C-SiC 100 面上的 H 的情况。
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### 5.3 Surface/Molecule Interaction
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