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# n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究
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这篇文章给出了很多有用的信息，包括
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* 200 左右的那个峰，它们将它的不对称性解释为 Fano 共振。这意味着背景中有一个其它原因的散射。这个是什么？（原文：较宽的电子态）
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* 在他们的实验中（掺杂浓度比较高），LOPC 只有一个峰，并且随着掺杂浓度的增加，会向右移动。
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它们这里同时这里给出了 LOPC 的拟合公式，我们可以尝试用它来拟合一下我们的数据。
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* 他们认为，N 会导致一些 400 到 650 之间的峰，产生的原因主要是自旋导致的能谷分裂。（N-14 的核自旋为 1）。这是真的吗？（是否可以与计算对比）
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* 395 处的 N 电子峰，他们认为会受到特定波长的激光（更长）的影响而增强。这是真的吗？（与文献 6 对比）
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* 给出了一些参考文献，包括：
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* 6，为 4H 的拉曼电子散射
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* 13，为 6H 的 510 附近的“电子缺陷”
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* 14，计算了 6H 里 N 的能谷分裂大小
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* 16，“指出掺氮 SiC 中电子拉曼散射信号的数目要大于不等效施主位的数目”
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* 17，理论预测的复合点缺陷（N_CC_Si）
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* 还讨论了二次拉曼的结果。
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