paper/method/axis/default.typ

@@ -0,0 +1,29 @@
+== Definition of the axes
+
+坐标轴的定义。
+
+坐标轴在我们的研究中需要被明确定义，因为 4H-SiC 的各向异性，以及在不同文献中坐标轴的不同定义。
+4H-SiC 晶体中存在镜面（mirror plane）和滑移面（glide plane），如图所示。
+4H-SiC 的原子结构沿镜面反演后不变，但沿滑移面反演后还需要沿 z 轴平移半个晶格常数才能保持不变。
+我们定义 x 轴平行于滑移面，y 轴与 x 轴垂直并平行于一个镜面。
+同时，我们定义 a 轴与 x 轴平行，b 轴与 a 轴夹角为 120 度。
+在此定义下，晶圆的切边沿 x 方向（即 [$11 overline(2) 0$] 方向），
+  台阶流外延过程中台阶台阶边沿平行于 y 方向（即 [$1 overline(1) 00$] 方向），生长方向为 x 方向（即 [$11 overline(2) 0$]）。
+此定义与 material projects 数据库以及大部分文献中的定义一致，而与其它一些文献中的定义不一致。
+（最后一行补充参考文献）。
+
+The axes in our study need to be clearly defined due to the anisotropy of 4H-SiC.
+In the 4H-SiC crystal, there are three mirror planes and three glide planes, as shown in @figure-axis.
+The atomic structure of 4H-SiC remains unchanged under reflection across a mirror plane,
+  but it requires a translation of $1/2c$ to remain unchanged under reflection across a glide plane.
+We define the x-axis parallel to the glide plane,
+  and the y-axis perpendicular to the x-axis and parallel to a mirror plane.
+Concurrently, we define the a-axis parallel to the x-axis,
+  and the b-axis at an angle of 120#sym.degree to the a-axis.
+Under this definition, the wafer edge is along the x-axis (i.e. [$11 overline(2) 0$]),
+  the step edge during step-flow epitaxy is parallel to the y-axis (i.e. [$1 overline(1) 00$]),
+  and the growth direction is along the x-axis (i.e. [$11 overline(2) 0$]).
+This definition is consistent with most literature and the Materials Project database,
+  while it differs from some other literature.
+
+#include "fig-axis.typ"

paper/method/default.typ

@@ -1,5 +1,6 @@
 = Method
 
+#include "axis/default.typ"
 #include "wafer.typ"
 #include "experiment/default.typ"
 #include "model.typ"

paper/method/wafer.typ

@@ -15,14 +15,3 @@ The Al doping concentrations, determined by SIMS,
 The W#sub[1]–W#sub[4] had an epitaxial layer thickness of 1 μm, while W#sub[5] had a thickness of 2 μm.
 The Si/C ratios during growth were 0.7, 1.2, 1.6, 2.4, and 2.0 for the five wafers, respectively.
 
-坐标轴的定义
-
-坐标轴的定义需要仔细考量才能使计算与实验结果对应。
-4H-SiC 存在三个互相之间夹角为 60 度的镜面（mirror plane），同时还存在三个互相之间夹角为 60 度的滑移面（glide plane）。
-我们定义某一个滑移面与基平面的交线为 x 轴，与此滑移面相垂直的镜面与基平面的交线为 y 轴。
-同时，我们定义沿 x 方向为晶格的 a 轴（即 a 轴在一个滑移面内）。
-此定义与实验中常用的定义一致，包括晶圆的切边沿 xxx 方向（即 xx 轴）、台阶流外延过程中台阶生长的方向为 xxx （即 xx 轴），台阶边沿 沿 y 方向（即 yy 轴）。
-此定义也与 material projects 数据库以及一些文献中的定义一致。
-然而，此定义与其它一些文献中的定义不同，尤其是与群论中的定义不一致；本文中引用结论时，会将它们的定义转换为本文的定义。
-
-#include "fig-axis.typ"

paper/todo.typ

@@ -18,7 +18,10 @@
       - [x] 画出原子和键，75
       - [x] 调整图片，使得不太杂乱，80
       - [x] 合成图片，20
-      - [ ] 文字
+      - [x] 再写中文，15
+      - [x] 英文，20
+      - [ ] 调整画图，20
+      - [ ] 补充参考文献
     - [/] 拉曼实验
       - [x] 仪器设置
         - [x] 中文
@@ -98,5 +101,5 @@
   - [ ] 实验
     - [ ] 测试不同片子的背面 LOPC，确认它们的掺杂是否相同
   - [ ] 拟合
-    - [ ] 拟合最后一次正入射的结果，确定峰位移与掺杂等的关系
+    - [ ] 拟合最后一次正入射的结果，确定峰位移与掺杂等的关系，60
     - [ ] 拟合带 LOPC 的 LO