From dd8abe65aaed3ea3a8666a20f9feb8b96da4a9e1 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: chn Date: Thu, 17 Jul 2025 15:17:10 +0800 Subject: [PATCH] --- paper/method/axis/default.typ | 29 ++++++++++++++++++++++++++++ paper/method/{ => axis}/fig-axis.typ | 0 paper/method/default.typ | 1 + paper/method/wafer.typ | 11 ----------- paper/todo.typ | 7 +++++-- 5 files changed, 35 insertions(+), 13 deletions(-) create mode 100644 paper/method/axis/default.typ rename paper/method/{ => axis}/fig-axis.typ (100%) diff --git a/paper/method/axis/default.typ b/paper/method/axis/default.typ new file mode 100644 index 0000000..80c600a --- /dev/null +++ b/paper/method/axis/default.typ @@ -0,0 +1,29 @@ +== Definition of the axes + +坐标轴的定义。 + +坐标轴在我们的研究中需要被明确定义，因为 4H-SiC 的各向异性，以及在不同文献中坐标轴的不同定义。 +4H-SiC 晶体中存在镜面（mirror plane）和滑移面（glide plane），如图所示。 +4H-SiC 的原子结构沿镜面反演后不变，但沿滑移面反演后还需要沿 z 轴平移半个晶格常数才能保持不变。 +我们定义 x 轴平行于滑移面，y 轴与 x 轴垂直并平行于一个镜面。 +同时，我们定义 a 轴与 x 轴平行，b 轴与 a 轴夹角为 120 度。 +在此定义下，晶圆的切边沿 x 方向（即 [$11 overline(2) 0$] 方向）， + 台阶流外延过程中台阶台阶边沿平行于 y 方向（即 [$1 overline(1) 00$] 方向），生长方向为 x 方向（即 [$11 overline(2) 0$]）。 +此定义与 material projects 数据库以及大部分文献中的定义一致，而与其它一些文献中的定义不一致。 +（最后一行补充参考文献）。 + +The axes in our study need to be clearly defined due to the anisotropy of 4H-SiC. +In the 4H-SiC crystal, there are three mirror planes and three glide planes, as shown in @figure-axis. +The atomic structure of 4H-SiC remains unchanged under reflection across a mirror plane, + but it requires a translation of $1/2c$ to remain unchanged under reflection across a glide plane. +We define the x-axis parallel to the glide plane, + and the y-axis perpendicular to the x-axis and parallel to a mirror plane. +Concurrently, we define the a-axis parallel to the x-axis, + and the b-axis at an angle of 120#sym.degree to the a-axis. +Under this definition, the wafer edge is along the x-axis (i.e. [$11 overline(2) 0$]), + the step edge during step-flow epitaxy is parallel to the y-axis (i.e. [$1 overline(1) 00$]), + and the growth direction is along the x-axis (i.e. [$11 overline(2) 0$]). +This definition is consistent with most literature and the Materials Project database, + while it differs from some other literature. + +#include "fig-axis.typ" diff --git a/paper/method/fig-axis.typ b/paper/method/axis/fig-axis.typ similarity index 100% rename from paper/method/fig-axis.typ rename to paper/method/axis/fig-axis.typ diff --git a/paper/method/default.typ b/paper/method/default.typ index c6dd46b..928b26b 100644 --- a/paper/method/default.typ +++ b/paper/method/default.typ @@ -1,5 +1,6 @@ = Method +#include "axis/default.typ" #include "wafer.typ" #include "experiment/default.typ" #include "model.typ" diff --git a/paper/method/wafer.typ b/paper/method/wafer.typ index c9fee9c..38b7b14 100644 --- a/paper/method/wafer.typ +++ b/paper/method/wafer.typ @@ -15,14 +15,3 @@ The Al doping concentrations, determined by SIMS, The W#sub[1]–W#sub[4] had an epitaxial layer thickness of 1 μm, while W#sub[5] had a thickness of 2 μm. The Si/C ratios during growth were 0.7, 1.2, 1.6, 2.4, and 2.0 for the five wafers, respectively. -坐标轴的定义 - -坐标轴的定义需要仔细考量才能使计算与实验结果对应。 -4H-SiC 存在三个互相之间夹角为 60 度的镜面（mirror plane），同时还存在三个互相之间夹角为 60 度的滑移面（glide plane）。 -我们定义某一个滑移面与基平面的交线为 x 轴，与此滑移面相垂直的镜面与基平面的交线为 y 轴。 -同时，我们定义沿 x 方向为晶格的 a 轴（即 a 轴在一个滑移面内）。 -此定义与实验中常用的定义一致，包括晶圆的切边沿 xxx 方向（即 xx 轴）、台阶流外延过程中台阶生长的方向为 xxx （即 xx 轴），台阶边沿 沿 y 方向（即 yy 轴）。 -此定义也与 material projects 数据库以及一些文献中的定义一致。 -然而，此定义与其它一些文献中的定义不同，尤其是与群论中的定义不一致；本文中引用结论时，会将它们的定义转换为本文的定义。 - -#include "fig-axis.typ" diff --git a/paper/todo.typ b/paper/todo.typ index 5a06d78..f0a6ce5 100644 --- a/paper/todo.typ +++ b/paper/todo.typ @@ -18,7 +18,10 @@ - [x] 画出原子和键，75 - [x] 调整图片，使得不太杂乱，80 - [x] 合成图片，20 - - [ ] 文字 + - [x] 再写中文，15 + - [x] 英文，20 + - [ ] 调整画图，20 + - [ ] 补充参考文献 - [/] 拉曼实验 - [x] 仪器设置 - [x] 中文 @@ -98,5 +101,5 @@ - [ ] 实验 - [ ] 测试不同片子的背面 LOPC，确认它们的掺杂是否相同 - [ ] 拟合 - - [ ] 拟合最后一次正入射的结果，确定峰位移与掺杂等的关系 + - [ ] 拟合最后一次正入射的结果，确定峰位移与掺杂等的关系，60 - [ ] 拟合带 LOPC 的 LO