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# Resonance enhancement of electronic Raman scattering from nitrogen defect levels in silicon carbide
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* 提到了 Fano 共振，引用了文献 6
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* 提到了 4H 中共 4 个与 N 有关的峰，三个在 400-600 之间，一个在 57 处（需要在低温下才能看到）。
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认定这些峰是测试了不同浓度的片子，发现随着浓度升高而出现了这些峰；没有解释原理。
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注意峰的个数比 N 掺杂的位点要多。
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530 处的峰他认为可能还有隐藏的（因为 530 的峰不对称）。
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作者认为可能与 N 的振动有关，但没有给定理由。
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* 500 开始到之后，出现了一个底座（pedestral），他们认为是与某种二阶散射有关，对应文献 11 15
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* 随着掺杂浓度增加，530 的峰会左移。
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* 200 处的 Fano 共振，引用了文献 10
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* 对于 6H 中的各种可能与 N 有关的峰，作者与其它文献做了对比，结果一致，包括 6 8
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* 掺杂的片子带有一些绿色，表示它们在红色和红外附近有一些吸收（引用了文献 16 17），它们认为可能与 N 杂质能级有关，
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可能是掺杂导致的深能级。
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关于金刚石中的 N 掺杂引起的深能级，引用了文献 18。关于使用红外测试这些深能级，引用了文献 19 20 21
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