A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces

Abstract

我们提出了一个研究半导体表面吸附和脱附的新方法。新方法基于第一性原理计算和气相的自由能，因此我们可以计算吸附和脱附与温度和 beam equivalent pressure (BEP) 的关系。我们以一个 GaAs 的吸附表面作了例子。

我们用第一性原理计算和蒙特卡罗模拟来研究了 GaAs 的表面。然而这些方法本来是用来研究基态的结构稳定性的，因此没有考虑温度和 BEP 的影响。因此我们提出了一个新的方法，因为考虑了气相的自由能，所以把温度和 BEP 的影响考虑进来了。