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Step-Controlled Epitaxial Growth of High-Quality SiC Layers
这里提到两篇可能重要的文章:
- 29 和 30 分析了空中的团簇的组成。
- 31 提到,当输入的 C/Si 比为 2 时,有效的 C/Si 比要高得多,大约为 100。
- 39 提到一个岛状生长和台阶流外延的转换点的计算方法。(BCF)
- 62 提到重掺 Al 在 C 面长不好的一个原因:三甲基铝中的 C 会导致 C 变多,导致表面迁移被抑制。