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# Gas-Phase Modeling of Chlorine-Based Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide
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这篇文章计算了 SiC CVD 过程中气相的组成（带 Cl）。算是开创计算方法的一个文章。
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在计算时，考虑的因素有：前驱体的类型，温度，Cl/Si 比，前驱体的聚集度（这是什么？）。
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这篇文章也不是讲方法的，而是用商业软件（叫做 CFD-ACE+）来计算的。卒。
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