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# Gas-Phase Modeling of Chlorine-Based Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide
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这篇文章计算了 SiC CVD 过程中气相的组成(带 Cl)。算是开创计算方法的一个文章。
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在计算时,考虑的因素有:前驱体的类型,温度,Cl/Si 比,前驱体的聚集度(这是什么?)。
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这篇文章也不是讲方法的,而是用商业软件(叫做 CFD-ACE+)来计算的。卒。
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