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# Anisotropic deformation of 4H-SiC wafers insights from nanoindentation tests
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## Abstract
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4H-SiC 的形变与与 BPD 的滑动有关，尤其与 Si 核的滑动有关，而 Si 面的 Si 核更容易滑动，因此 C 面更软、断裂韧性更低。
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另外，1-100 面的硬度比 11-20 方向的硬度高，且 1-100 面的断裂韧性更低，因为在平行于最密堆积面上的滑行更容易。
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## Introduction
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切磨抛的过程会显著增加 SiC 中的缺陷。
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磨抛的过程中，C 面被去掉的更多，粗糙度更低，这表明两个面的分解机理不同。
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另外，沿着 11-20 方向去掉的更多。
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通过组合纳米压印和 TEM，发现 BPD 的形成和滑移主导了塑性形变。
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断裂的形成和传播对脆性形变有贡献（由断裂粗糙来表征）。
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23 nm 时会出现塑性形变，91.7 nm 时会出现脆性形变。
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TODO: 形变的分类？
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## Experimental methods
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## Results and discussion
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TODO: pop-in 是什么？是不是就是压进去了？
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测了拉曼谱。
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TODO: 拉曼的 FTA FTO FLO mode 都是什么？
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FTA 在压印后有展宽，并且 Si 面展宽更大，因此认为 Si 面的缺陷更多；同理沿着 11-20 方向的展宽更多。
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FTO 和 FTA 的相对变化通常被用来表征是否发生了相变。按这个判据，没有相变发生。
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按照一个公式，根据实验中得到的裂缝的长度，计算断裂韧性。
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## Conclusions
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