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SiC/Anisotropic deformation of 4H-SiC wafers insights from nanoindentation tests.md

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+# Anisotropic deformation of 4H-SiC wafers  insights from nanoindentation tests
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+## Abstract
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+4H-SiC 的形变与与 BPD 的滑动有关，尤其与 Si 核的滑动有关，而 Si 面的 Si 核更容易滑动，因此 C 面更软、断裂韧性更低。
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+另外，1-100 面的硬度比 11-20 方向的硬度高，且 1-100 面的断裂韧性更低，因为在平行于最密堆积面上的滑行更容易。
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+## Introduction
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+切磨抛的过程会显著增加 SiC 中的缺陷。
+磨抛的过程中，C 面被去掉的更多，粗糙度更低，这表明两个面的分解机理不同。
+另外，沿着 11-20 方向去掉的更多。
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+通过组合纳米压印和 TEM，发现 BPD 的形成和滑移主导了塑性形变。
+断裂的形成和传播对脆性形变有贡献（由断裂粗糙来表征）。
+23 nm 时会出现塑性形变，91.7 nm 时会出现脆性形变。
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+TODO: 形变的分类？
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+## Experimental methods
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+## Results and discussion
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+TODO: pop-in 是什么？是不是就是压进去了？
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+测了拉曼谱。
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+TODO: 拉曼的 FTA FTO FLO mode 都是什么？
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+FTA 在压印后有展宽，并且 Si 面展宽更大，因此认为 Si 面的缺陷更多；同理沿着 11-20 方向的展宽更多。
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+FTO 和 FTA 的相对变化通常被用来表征是否发生了相变。按这个判据，没有相变发生。
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+按照一个公式，根据实验中得到的裂缝的长度，计算断裂韧性。
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+## Conclusions
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SiC/Assessing the effect of hydrogen on the electronic properties of 4H-SiC.md

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+# Assessing the effect of hydrogen on the electronic properties of 4H-SiC
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+## abstract
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+本文研究了 H 对 4H-SiC 电子结构的影响和对缺陷的钝化。
+我们发现 H 主要分布在 Si-C 键中间和 Si 四面体位。
+在高浓度 N 掺杂的情况下，Si 四面体位的 H 会 pin 费米能级并阻碍电荷聚集。
+在 p 型中，Si-C 键中间的 H 的补偿效应不如 VC。
+我们发现 H 可以钝化 Al 掺杂中的 VC 进而增加载流子寿命。
+在量子比特应用的领域，我们发现 H 可以在制造 VSi 时起到钝化作用，之后再通过退火将它们分离。
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+## Introduction
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+对于 n 型，H 离子注入、H 等离子体处理和高温 H 退火可以降低电荷聚集、提高电阻率。
+这个机制有认为是形成 N_C-H 复合体、间隙 H 和本征缺陷导致的电子陷阱。
+对于 p 型，也有类似的效应，但机制不同。
+其机制包括退火时 Al_Si-H 复合体的分解，以及带正电的 H 的产生。
+此外，V_C 也会严重地影响载流子寿命。
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+我们认为，在 n 型中，减少 H 的掺杂是很重要的。
+在 p 型中，H 可能会钝化 Al_Si，但这很容易通过退火来消除。
+在量子比特的应用中，可以用 H 来在制造过程中钝化 V_Si，并在之后退火来分离它们。
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+## Computational methodology
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+## Results and discussion
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+### Configurations
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+我们考虑了 H 在各种替位和间隙位的情况。k 和 h 的替位能量差别很小，因此可以忽略。
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+H 会引入一些深能级。
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+富 Si 和富 C 不会太影响 H 的形成能，因此之后的计算都在富 Si 极限下进行。
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+### H in n-type 4H-SiC
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+During the homoepitaxy of n-type 4H-SiC layers,
+  the electron concentration of the n-type buffer layer should be as high as possible
+  to guarantee the conversion efficiency of basal plane dislocations.
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+TODO: 这是什么？
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+然而，n 掺杂浓度仍然需要提高。
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+在 n 型掺杂中，会因为 Si 四面体位的 H 而 pin 费米能级，使得费米能级难以进一步提高。
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+### H in p-type 4H-SiC
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+### H passivation of VC
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+### H passivation of VSi
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+## Conclusion