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# Analysis of surface diffusion of carbon- and nitrogen-containing molecules during homoepitaxial growth of 4H-SiC (0001) under silicon-rich conditions
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研究的是,外延或者PVT过程中,台阶面上,C 和 N 的扩散行为(主要是扩散长度,也就是在脱附之前,大概能扩散多远)。
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1 Torr \approx 133.32 Pa
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在他之前,很多人使用 BCF(Burton–Cabrera–Frank)理论来研究了 SiC 的台阶,introduction 里有很多文献。
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