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Analysis of surface diffusion of carbon- and nitrogen-containing molecules during homoepitaxial growth of 4H-SiC (0001) under silicon-rich conditions

研究的是，外延或者PVT过程中，台阶面上，C 和 N 的扩散行为（主要是扩散长度，也就是在脱附之前，大概能扩散多远）。

1 Torr \approx 133.32 Pa

在他之前，很多人使用 BCF（Burton–Cabrera–Frank）理论来研究了 SiC 的台阶，introduction 里有很多文献。