第二个论文/新分类/README.md

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-# 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究
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-* 这是一个毕业论文。
-* 无损检测载流子的方法，有电容电压法、霍尔效应法、SIMS。
-* 他认为，应该将 4H-SiC 的模式分为两类，强声子模式（我们的强极性模式），进一步分为纵波和横波；
-  另一类则是弱声子模式（我们的弱极性模式），分为轴向模和平面模。
-* 使用紫外拉曼，可以在低掺杂的情况下增加载流子浓度，从而产生 LOPC 峰。
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-## 引用
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-* 47-48: LOPC 的原理的细节。在简并半导体中，电荷密度的频率大约为 50 THz，与 LO 频率接近。金属中电子频率要更高，因此不会耦合。
-* 57-58: LOPC 本应该有两个分支，另一个由于展宽而不可见。
-* 45,57,60,64-66: 在一定浓度范围内（2e16-1e17），LOPC 峰位与掺杂浓度的关系是线性的；浓度，就有其它的因素参与，同时出现不对称性。
-* 67,71-74: 使用 FTA 模式（200 附近的一对 E2）的不对称性和两个峰的相对高度，也可以估计掺杂浓度。
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-# Spectroscopic analysis of electrical properties in polar semiconductors with over-damped plasmons
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-这篇论文提出了一个新的模型来估计介电函数，进而给出一个新的 LOPC 及红外吸收谱的拟合式子，在一些情况下比原先的拟合得更好。
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-## 引用
-* 1-2: 介绍了 LOPC 的物理背景。

第二个论文/新分类/README.typ

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+= 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究
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+- 这是一个毕业论文。
+- 无损检测载流子的方法，有电容电压法、霍尔效应法、SIMS。
+- 他认为，应该将 4H-SiC 的模式分为两类，强声子模式（我们的强极性模式），进一步分为纵波和横波；
+  另一类则是弱声子模式（我们的弱极性模式），分为轴向模和平面模。
+- 使用紫外拉曼，可以在低掺杂的情况下增加载流子浓度，从而产生 LOPC 峰。
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+== 引用
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+- 47-48: LOPC 的原理的细节。在简并半导体中，电荷密度的频率大约为 50 THz，与 LO 频率接近。金属中电子频率要更高，因此不会耦合。
+- 57-58: LOPC 本应该有两个分支，另一个由于展宽而不可见。
+- 45,57,60,64-66: 在一定浓度范围内（2e16-1e17），LOPC 峰位与掺杂浓度的关系是线性的；浓度，就有其它的因素参与，同时出现不对称性。
+- 67,71-74: 使用 FTA 模式（200 附近的一对 E2）的不对称性和两个峰的相对高度，也可以估计掺杂浓度。
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+= Spectroscopic analysis of electrical properties in polar semiconductors with over-damped plasmons
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+这篇论文提出了一个新的模型来估计介电函数，进而给出一个新的 LOPC 及红外吸收谱的拟合式子。
+这个介电函数在一些细节处比之前拟合的更好（但并不是决定性地好）；
+  同时，通过这个函数拟合得到的 TO 阻尼系数（damped coefficient）与常规介电方法得到的差别很大。
+
+此文给出了许多公式，包括各种介电函数，以及使用 m-CDF 得到的 LOPC 散射截面和红外反射。
+
+细节上来说，原本的介电函数考虑了 TO 和自由载流子的阻尼、等离子的频率（被称为 CDF）；
+  额外考虑了 LO 的阻尼后的式子（被称为 m-CDF）被广泛使用于拟合红外和拉曼谱；
+  此外还有一个更加扩展的式子（考虑了等离子体与与 LO 的耦合），但因为其中一些参数与实验没有对应，而没有广泛使用。
+在这篇文章中，依然使用 m-CDF。
+使用 m-CDF 对 LOPC 在高浓度下的拟合更好，在低浓度下差不多；同时，拟合结果中，m-CDF 的 LO 阻尼比 CDF 要小很多。
+在红外的拟合中，必须使用 m-CDF 才能同时拟合好 TO 和 LO 附近的光谱。
+
+LO 的阻尼会对 xxx 有明显的影响。
+
+== 基础知识（无引用）
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+- 在 SiC 中，等离子是过阻尼的（$omega_#text[p] < gamma$）。
+- 等离子的频率与掺杂浓度有关。在较低掺杂浓度时，等离子频率远远小于 LO；只有在重掺杂的情况下，等离子频率才会接近 LO 频率。
+  - 基于此，LOPC 峰表现得更像原本的 LO 峰；同时 L- 分支会过于展宽而不可见。
+- LO 与自由电子和离子杂质的耦合为 Fröhlich-like interaction。
+- 在低浓度下，LO 阻尼随掺杂浓度近似线性增加（见引用）；但在高浓度下，激子频率与 LO 相近，必须使用考虑了 LO 与激子耦合的介电函数。
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+== 疑问
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+在这篇文章之后，大家使用的都是这个新的模型，还是依然使用旧的？
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+== 引用
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+- 4: 由于较大的载流子阻尼和有效质量；n-6H-SiC 的 LOPC 随载流子浓度而产生的偏移很小。
+- 16: 在 GaAs 中，LOPC 峰的偏移与掺杂浓度关系很大。
+- 17: 在 n-SiC 中，一直到 1e19，TO 峰都没有可见的展宽，说明 TO 与载流子的几乎没有耦合。
+- 16,18-19: 经典介电函数的公式（为高频极限、TO 模式、自由载流子三者造成的影响的和）。
+- 20-23: 根据广义 Lyddane-Sacks-Teller 关系，在普通的介电函数中，只考虑了 TO 声子；并给出了如何考虑 LO 的阻尼。
+- 29-35: 对最复杂的介电函数的研究，以及使用它来拟合一些红外结果。
+- 37-38: 不同载流子浓度下的 LO 阻尼不同（在低掺杂浓度下，近似线性增加），可以认为是 LO 与自由载流子和离子杂质耦合得到的。
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