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声子/README.md

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   * 拉曼散射峰更窄。（使用算法去除）
   * 表面接触金属纳米球时，荧光会减弱。
   * 使用接近禁带的激光，拉曼散射会增强。
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+# Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy
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+这是一个 review。主要包括三个方面的内容：
+* CVD 长 3C，用拉曼看多型（主要是其中的 6H）。
+* N 和 P 掺杂的 6H、4H 和 15 R，用拉曼看掺杂能级。
+  * 看到的峰并不直接是激活能，而是不同位点之间能量的差（与自旋谷极化有关）。
+  * 浅能级杂质需要 < 100 K（液 He）。深能级可以放宽一些，例如到 200 K。
+  * 大多情况下，对应的峰波数很小，大约 20-50 cm^-1。
+  * stokes 处存在比较宽的峰，而反 stokes 处不存在，这个被认为是自由电子的散射。
+  * 通过带偏振的拉曼，可以研究这些峰的来源。
+  * stokes 和 anti-stokes 峰的比值有一个理论值 $\frac{I_\text{stokes}}{I_\text{anti-stokes}} = \exp(\frac{E}{kT})$。
+* 6H 的 Si 面上长少层石墨烯，使用拉曼分析石墨烯的厚度和应变。