From c576dcec8cb9a6d17d339289a3d25ac98ac8313c Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: chn <chn@chn.moe>
Date: Sun, 16 Mar 2025 17:20:11 +0800
Subject: [PATCH] add book

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 声子/README.md                                      | 13 +++++++++++++
 ...ation of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf |  3 +++
 ...fects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf |  3 ---
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 create mode 100644 声子/拉曼测多型和自旋谷分裂 2008 Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf
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diff --git a/声子/README.md b/声子/README.md
index 78b5b0e..514df44 100644
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   * 拉曼散射峰更窄。（使用算法去除）
   * 表面接触金属纳米球时，荧光会减弱。
   * 使用接近禁带的激光，拉曼散射会增强。
+
+# Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy
+
+这是一个 review。主要包括三个方面的内容：
+* CVD 长 3C，用拉曼看多型（主要是其中的 6H）。
+* N 和 P 掺杂的 6H、4H 和 15 R，用拉曼看掺杂能级。
+  * 看到的峰并不直接是激活能，而是不同位点之间能量的差（与自旋谷极化有关）。
+  * 浅能级杂质需要 < 100 K（液 He）。深能级可以放宽一些，例如到 200 K。
+  * 大多情况下，对应的峰波数很小，大约 20-50 cm^-1。
+  * stokes 处存在比较宽的峰，而反 stokes 处不存在，这个被认为是自由电子的散射。
+  * 通过带偏振的拉曼，可以研究这些峰的来源。
+  * stokes 和 anti-stokes 峰的比值有一个理论值 $\frac{I_\text{stokes}}{I_\text{anti-stokes}} = \exp(\frac{E}{kT})$。
+* 6H 的 Si 面上长少层石墨烯，使用拉曼分析石墨烯的厚度和应变。
diff --git a/声子/拉曼测多型和自旋谷分裂 2008 Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf b/声子/拉曼测多型和自旋谷分裂 2008 Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf
new file mode 100644
index 0000000..ffd15f1
--- /dev/null
+++ b/声子/拉曼测多型和自旋谷分裂 2008 Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf	
@@ -0,0 +1,3 @@
+version https://git-lfs.github.com/spec/v1
+oid sha256:792bab93fda654acec7724dab492a5b1c2f9bad1355240b13bef7bc4ed73c55c
+size 938656
diff --git a/拉曼/Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf b/拉曼/Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf
deleted file mode 100644
index 0f78439..0000000
--- a/拉曼/Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy.pdf	
+++ /dev/null
@@ -1,3 +0,0 @@
-version https://git-lfs.github.com/spec/v1
-oid sha256:dd8b34e6a4c11179c2694d6151e8dcc07c84ec9f990998a192c65691259fe02c
-size 932685