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quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md

@@ -18,6 +18,8 @@ SiC 中 Si 空位有 3/2 自旋的基态和激发态，因此受到关注。
 
 # 第二段
 
+我们一般认为，4H 和 6H 中的 V1-V3 PL 线和 TV1-TV3 electron paramagnetic resonance (EPR) 与 3/2 自旋的 Si 空位有关。
+
 这种缺陷的原子结构还有争议。
 有两种模型：一个是单个的带负电的 Si 空位，另一个是带负电的 Si 空位与一个不带电的 C 空位形成的复合缺陷。
 这两种模型都可以导致自旋基态的有限的 ZFS（zero-field splitting），但机理不同。
@@ -59,3 +61,18 @@ EPR 实验在室温的暗室中进行。
 在模拟中，我们观测到了两者之间的耦合，得到了与单个缺陷明显不同的电子结构。
 在紧束缚图像中，单独的两者都各自有两个非简并能级 a_1 和一个二重简并能级 e。
 对于 Si 空位，一个 a1 和 e 在禁带中，e 的能量更高。
+在结合后，掉入禁带的能级包括 e 能级和 a1 能级，它们都主要分布于 Si 空位附近。
+其中 e 能级被占满（4 个电子），a1 能级中有一个电子，因此整体的自旋为 1/2。
+这与实验中观察到的超精细结构不符。
+另外一方面，我们发现这个能量不是最低，因此是一个亚稳态。
+
+我们进一步研究了模型一。
+我们认为，通过 ENDOR 观测到的 Si 在 1.3-2.2 MHz 的超精细结构可以由单个 Si 空位来解释而不需要引入 C 空位。
+我们研究了 Si 空位与至多 7.8 A 距离的 Si-29 和 C-13 之间的相互作用导致的超精细结构。
+我们发现了一些与实验数据一致的结果。
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+
+# 剩余的问题
+
+* V1-V3，或者 TV1-TV3，对应的是同一个结构的不同能级，还是不同的结构？还是别的什么？
+*