From c200da309bec17340b06530c7585eec56f85610c Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: chn Date: Wed, 21 Feb 2024 19:53:08 +0800 Subject: [PATCH] add note --- ...om-temperature qubits in 4H silicon carbide.md | 17 +++++++++++++++++ ...m-temperature qubits in 4H silicon carbide.pdf | 4 ++-- 2 files changed, 19 insertions(+), 2 deletions(-) diff --git a/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md b/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md index dc72b41..b0d31f7 100644 --- a/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md +++ b/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md @@ -18,6 +18,8 @@ SiC 中 Si 空位有 3/2 自旋的基态和激发态，因此受到关注。 # 第二段 +我们一般认为，4H 和 6H 中的 V1-V3 PL 线和 TV1-TV3 electron paramagnetic resonance (EPR) 与 3/2 自旋的 Si 空位有关。 + 这种缺陷的原子结构还有争议。 有两种模型：一个是单个的带负电的 Si 空位，另一个是带负电的 Si 空位与一个不带电的 C 空位形成的复合缺陷。 这两种模型都可以导致自旋基态的有限的 ZFS（zero-field splitting），但机理不同。 @@ -59,3 +61,18 @@ EPR 实验在室温的暗室中进行。 在模拟中，我们观测到了两者之间的耦合，得到了与单个缺陷明显不同的电子结构。 在紧束缚图像中，单独的两者都各自有两个非简并能级 a_1 和一个二重简并能级 e。 对于 Si 空位，一个 a1 和 e 在禁带中，e 的能量更高。 +在结合后，掉入禁带的能级包括 e 能级和 a1 能级，它们都主要分布于 Si 空位附近。 +其中 e 能级被占满（4 个电子），a1 能级中有一个电子，因此整体的自旋为 1/2。 +这与实验中观察到的超精细结构不符。 +另外一方面，我们发现这个能量不是最低，因此是一个亚稳态。 + +我们进一步研究了模型一。 +我们认为，通过 ENDOR 观测到的 Si 在 1.3-2.2 MHz 的超精细结构可以由单个 Si 空位来解释而不需要引入 C 空位。 +我们研究了 Si 空位与至多 7.8 A 距离的 Si-29 和 C-13 之间的相互作用导致的超精细结构。 +我们发现了一些与实验数据一致的结果。 + + +# 剩余的问题 + +* V1-V3，或者 TV1-TV3，对应的是同一个结构的不同能级，还是不同的结构？还是别的什么？ +* \ No newline at end of file diff --git a/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.pdf b/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.pdf index c033964..08bd8ac 100644 --- a/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.pdf +++ b/quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.pdf @@ -1,3 +1,3 @@ version https://git-lfs.github.com/spec/v1 -oid sha256:358c5482201e6014bb4de6af51b1fc3df143b59811aafdc8b3dd5f3f8a220300 -size 505659 +oid sha256:1c6fbbecced71799fe20989c8066c0e52072938fbc1ed25f2695fa936730fde3 +size 507411