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c200da309b
@ -18,6 +18,8 @@ SiC 中 Si 空位有 3/2 自旋的基态和激发态,因此受到关注。
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# 第二段
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我们一般认为,4H 和 6H 中的 V1-V3 PL 线和 TV1-TV3 electron paramagnetic resonance (EPR) 与 3/2 自旋的 Si 空位有关。
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这种缺陷的原子结构还有争议。
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有两种模型:一个是单个的带负电的 Si 空位,另一个是带负电的 Si 空位与一个不带电的 C 空位形成的复合缺陷。
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这两种模型都可以导致自旋基态的有限的 ZFS(zero-field splitting),但机理不同。
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@ -59,3 +61,18 @@ EPR 实验在室温的暗室中进行。
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在模拟中,我们观测到了两者之间的耦合,得到了与单个缺陷明显不同的电子结构。
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在紧束缚图像中,单独的两者都各自有两个非简并能级 a_1 和一个二重简并能级 e。
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对于 Si 空位,一个 a1 和 e 在禁带中,e 的能量更高。
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在结合后,掉入禁带的能级包括 e 能级和 a1 能级,它们都主要分布于 Si 空位附近。
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其中 e 能级被占满(4 个电子),a1 能级中有一个电子,因此整体的自旋为 1/2。
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这与实验中观察到的超精细结构不符。
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另外一方面,我们发现这个能量不是最低,因此是一个亚稳态。
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我们进一步研究了模型一。
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我们认为,通过 ENDOR 观测到的 Si 在 1.3-2.2 MHz 的超精细结构可以由单个 Si 空位来解释而不需要引入 C 空位。
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我们研究了 Si 空位与至多 7.8 A 距离的 Si-29 和 C-13 之间的相互作用导致的超精细结构。
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我们发现了一些与实验数据一致的结果。
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# 剩余的问题
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* V1-V3,或者 TV1-TV3,对应的是同一个结构的不同能级,还是不同的结构?还是别的什么?
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