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quantum information/Longitudinal spin relaxation model applied to point-defect qubit systems.md

@@ -0,0 +1,23 @@
+# abstract
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+本文展示了描述附近环境（包括核自旋和电子自旋）对自旋过程的影响的方法。
+这个方法使用了一个扩展的 Lindblad 方程，in the framework of cluster approximation of a central spin system.
+我们证明这个方法可以准确地计算出 $T_1$。
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+# INTRODUCTION
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+NV 很重要，除了 NV 以外一些宽禁带半导体中的缺陷也很重要。
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+周围环境对点缺陷的性质影响很大。
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+Lindblad 方程通常被用来描述 Markovian 退化过程。但这个方法依赖于一些实验参数，无法准确描述各种环境。
+为了解决这个问题，一些方法被提了出来。
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+各种方法被提出来，被用于解决各种问题。
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+在接下来，第二节会介绍理论和实现，第三节会展示一个例子中使用不同近似的效果，第四节会提供 NV 的模拟结果，第五节总结。
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+# METHODOLOGY
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quantum information/Low-Field Microwave-Free Magnetometry Using the Dipolar Spin Relaxation of Quartet Spin States in Silicon Carbide.md

@@ -46,6 +46,45 @@ Si 空位因为自旋四重态受到了很多研究。
 我们发现了几个窄共振，在这之中，只需要外加一个很小的磁场，自旋弛豫时间就可以改变几个数量级。
 基于这些观察，我们提出可以把它用作生物传感，并且估计了它的敏感度。
 
+# RESULTS
 
+图 1a 是能级。
+当外加一个正的磁场并且逐渐增大时，-3/2 的能级会与 +1/2 和 -1/2 的交叉。
+外界的自旋 1/2 的核磁矩会导致自旋 +-1 的能级弛豫（LAC A 和 C），
+  除此以外还有两个核自旋，或者一个核自旋和非线性塞曼效应，导致的 +-2 的能级交叉（LAC B）。
+所有这些交叉都会增强自旋弛豫。
 
+为了定量外加磁场对核自旋引起的自旋弛豫的影响，我们计算了它随时间的演变，探究了从初始态到末态的转变粒子数。
+图 1b 展示了不同磁场下一段时间后弛豫的结果。
+超过 LAC C 之后，弛豫速率是指数下降的。
+在磁场较大时，o 是 ss 的两倍。
+
+在磁场较小时，核自旋对自旋弛豫的影响是很大的。
+对于 V2 来说，三个 LAC 都可以在图上看出来。
+注意到，LAC A 只在 -1/2 有观察到，LAC B 只在 +1/2 有观察到。
+V1 的都集中在 B=0 附近，分不清。
+
+为了定量研究核自旋对自旋弛豫的影响，我们计算了弛豫时间。
+Si29 导致的自旋弛豫时间比 C13 要短很多，要保持更高的自旋弛豫时间，最好将 Si29 去除掉。
+
+在 B 小于 60 G 时，自旋弛豫时间被剧烈地减小了。
+
+接下来研究 1/2 电子自旋对自旋弛豫的影响。
+
+整体的结构与之前的四重态不同，可以看作一个五重态和一个三重态，三重态与五重态中间的那三个接近简并。
+在 B=0 附近，有四个 LAC，在比较远的地方还有一个 LAC，是由于四重态的非线性导致的。
+TODO: 四重态的非线性是什么？
+LAC 5 的位置受到扰动后会不准确。
+
+对于 V2，可以在图中看到几个峰，自旋相干时间因此会急剧减小。
+LAC 5 附近的波动是因为有限的模拟时间和两个态之间的相干震荡导致的。
+V1 的 LAC 都非常接近于 B=0。
+
+当初始态设置为只有 -1/2 时，弛豫的数量会极大地增加，
+  我们认为是 $| +1/2 -1/2 \rangle$ 和 $| -1/2 -1/2 \rangle$ 的简并导致的。
+一些实验也观察到了快速的转换。
+更多详细信息在附录里讨论。
+
+接下来，我们定量研究了 1/2 自旋的缺陷的浓度对弛豫时间的影响。
+可以看到，随着浓度变化，弛豫时间在秒级到微秒级之间变化。