900 B
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abstract
本文展示了描述附近环境（包括核自旋和电子自旋）对自旋过程的影响的方法。 这个方法使用了一个扩展的 Lindblad 方程，in the framework of cluster approximation of a central spin system. 我们证明这个方法可以准确地计算出 $T_1$。
INTRODUCTION
NV 很重要，除了 NV 以外一些宽禁带半导体中的缺陷也很重要。
周围环境对点缺陷的性质影响很大。
Lindblad 方程通常被用来描述 Markovian 退化过程。但这个方法依赖于一些实验参数，无法准确描述各种环境。 为了解决这个问题，一些方法被提了出来。
各种方法被提出来，被用于解决各种问题。
在接下来，第二节会介绍理论和实现，第三节会展示一个例子中使用不同近似的效果，第四节会提供 NV 的模拟结果，第五节总结。