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2024-11-14 02:45:14 +08:00
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--- a/crystals.md
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+# Deep ultraviolet Raman scattering characterization of ion-implanted SiC crystals
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+## Abstract
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+在两个不同的温度（室温、500 摄氏度）下离子注入 P，并在不同温度下退火，然后使用拉曼研究注入量和恢复情况。
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