paper/result/default.typ

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 我们先讨论无缺陷的情况，再讨论有缺陷的情况。
 无缺陷的情况可以解释绝大多数拉曼信号，其它情况从拉曼中的小峰和峰的改变中看出。
 
-The phonons in defect-free 4H-SiC are discussed first,
-  which could explain majority of the Raman signals.
-After that, we will discuss the defected case,
-  which applies to the small peaks and modifications in the Raman peek corresponding to the non-defected case.
-
-// - 无缺陷：
-//   我们将声子分为两类，一类是极性比较弱的（18个），一类是比较强的（3个）。
-//   - 弱极性的声子：
-//     - TODO: 确认一下最后一次实验中，峰偏移等是否与掺杂有明显关系，以及这个关系与之前是否相同。
-//   - 强极性的声子：
-//     - 强极性声子在 Gamma 附近散射谱不连续，它的声子模式由入射光的方向决定。在入射光不沿 z 轴的情况下，使用 C6v 群不再适用。
-//       - TODO: 写文字
-//     - 在接近 y 轴入射时，可以看到分裂。这个模式可能对表面敏感。
-//       - TODO: 佐证它对表面敏感
-//     - 对于 LO，可能形成 LOPC
-// - 有缺陷的情况：
-//   - TODO: 描述缺陷原子的振动
-//   - TODO: 计算拉曼张量，描述光谱的可能变化
+Phonon modes in defect-free 4H-SiC were first analyzed,
+  which account for the majority of the observed Raman signals.
+Subsequently, we address the effects of defects,
+  which manifest as additional minor peaks
+    and modifications to the Raman features associated with the defect-free 4H-SiC phonon modes.
 
 #include "perfect/default.typ"
 #include "defect/default.typ"

paper/todo.typ

@@ -3,9 +3,9 @@
 #import "@preview/cheq:0.2.2": checklist
 #show: checklist
 
-- [ ] 文本
-  - [ ] introduction
-  - [ ] method
+- [/] 文本
+  - [/] introduction
+  - [/] method
     - [x] 几个外延片
       - [x] 中文
       - [x] 英文
@@ -24,14 +24,16 @@
       - [ ] 确定要展示哪些结构
     - [ ] 点缺陷画图（复杂缺陷）
     - [ ] 面缺陷的模型大小、结构
-    - [ ] 第一性原理计算和声子计算的工具
+    - [/] 第一性原理计算和声子计算的工具
       - [x] 中文
       - [ ] 英文
       - [ ] 填充数据和引用
-  - [ ] results
-    - [ ] 总述
+  - [/] results
+    - [x] 总述
   - [ ] 杂项
     - [ ] N#sub[C]C#sub[Si] 有什么好处？
+    - [ ] 是否有其它需要研究的点缺陷？
+    
 - [ ] 实验
   - [ ] 实验
     - [ ] 测试不同片子的背面 LOPC，确认它们的掺杂是否相同