book/SiC/4H-Silicon Carbide as an Acoustic Material for MEMS.md

Abstract

4H-SiC 因为面内各向同性以及较小的声子散射，比较适合用于 MEMS 的声表面波器件。本文讨论了以下三个方面的内容：

• 4H-SiCOI 的使用和制备
• 4H-SiC 谐振腔的温度依赖性
• 4H-SiC MEMS 的制造

INTRODUCTION