Raman Scattering from Electronic Excitations in n-Type Silicon Carbide

这篇文章主要研究了两片 6H，N 掺杂浓度分别为 4E18 和 6E19。此外还顺便研究了一下 15R。

6H 有三个自旋谷分裂导致的峰，分别在 13.0 60.3 62.6 meV，它们分别对应于 h 位和两个 k 位，并且都是 1s（A1）到 1s（E）的跃迁。 TODO：这里的 1s 是指什么？由此可以推测，导带底应该在 ML 线上。

对于 LOPC，L+ 严重地左右不对称，L- 很小并且很宽。