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# Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
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## Introduction
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通常测试外延层电学性质的方法是 Hall 效应或 C-V 曲线，但是这都需要接触样品，并且只能测量较大范围内的平均性质。
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使用拉曼测试可以测试较小范围内的情况，并且不需要预先处理。
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本文使用背散射测试了 LOPC 模式，并与理论的结果进行了比较，使用等离激元的频率（与载流子浓度有关）、载流子浸润率（与载流子迁移率有关）和声子浸润率（这是什么？）作为拟合参数，得到了衬底和外延层中载流子（n型）的浓度和迁移率，并与 CV 测试的结果进行了比较。
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## Experiment
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准备了三组样品：
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* 两片衬底，重掺 n型。
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* 两片外延层，无故意掺杂。
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* 两片外延层，轻掺 n型。
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## Theoretical analysis of LOPC intensity
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一顿操作猛如虎（其实也是引用的以前的文献），得到的结论是：
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I(\omega) = -\frac{S}{\varepsilon_\infin}\left(1+2AC\frac{\omega_T^2}{\Delta}+\frac{BC^2\omega_T^4}{\Delta(\omega_L^2-\omega_T^2)}\right)\frac{N\Pi-M\Lambda}{\Pi^2+\Lambda^2}
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$$
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其中各个量（除了 $\omega$）都是更复杂的式子，总之只有 $\omega$ 一个变量。
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TODO：把前置理论看懂后再来看这里的推导。
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## Results and discussion
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拟合出来和结果很好。
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但穿透外延层测量衬底时，与直接测量的结果有些不同。
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