book/SiC/Silicon carbide detectors for sub-GeV dark matter.md

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# abstract
论文认为可以用 SiC 来探测 sub-GeV 暗物质。
相比于钻石和硅SiC 的优势分为两个方面:
极性半导体;
晶型非常多,不同晶型对不同的暗物质 sensitivity 不同。
sub-GeV 暗物质:将标准模型作了一定扩展,得到的暗物质质量在 1-100 MeV 之间。
# INTRODUCTION
考虑用暗物质与原子核碰撞时的能量交换。
能量交换大概是 meV 级别的,并且用的原子核越轻,能量交换越大。
因此,用金刚石来探测是比较好的,因为金刚石的原子核比较轻,并且有长寿命的 meV 级别的声子。
但金刚石的缺点是:金刚石的产量太低;以及金刚石是非极性的,无法选择性地探测暗物质。
因此我们提出使用 SiC 来探测暗物质。它除了有金刚石的优点之外,还有以下优点:
* 产量高,价格低;
* 极性半导体,存在可以由 sub-GeV 暗物质通过 dark photon interactions 激发的光学声子模式;
* 多晶型,可以调整晶型来选择性探测不同的暗物质。
在本文中,我们讨论了六种不同晶型的碳化硅,并讨论了它们用于探测器时的性能。
在下一节中,我们将讨论 SiC 的电学和声学性质。
在下下一节中,我们将讨论 SiC 的响应。
在再接下来的两节中,我们将讨论不同的 DM 模型。
# ELECTRONIC AND PHONONIC PROPERTIES OF SiC POLYTYPES
SiC 是间接带隙半导体。
不同的晶型可以用 hexagonality fraction 来表述。3C 为 02H 为 1。
The difference in stability between cubic and hexagonal stacking is very small,
which can be understood as a balance between the attractive and repulsive interactions
between third-nearest neighbors stemming from the specific degree of charge asymmetry in the SiC bond。
This results in a difference in total energy between the polytypes of only a few meV per atom.
![image-20240112102320695](assets/image-20240112102320695.png)
![image-20240112103255038](assets/image-20240112103255038.png)
SiC 的导带底不在 Γ 点,因此在低温下导电性会呈现各向异性。
考虑各种晶型的能带结构。
3C-SiC 导带底在 X 点,因此在第一布里渊区内有三个能谷(有六个半个,相当于有三个,下同),因此电子迁移率与 Si 或金刚石相当。
2H-SiC 导带底在 K 点,其它 H 晶型导带底通常在 L-M 线上。
因此,第一布里渊区内有六个能谷,且呈现面内的各向同性。
价带对于各种晶型差别不大,价带顶都在 Γ 点。
SiC 不同晶型的声子谱差别不大。
暗物质主要与 Γ 点的声子相互作用。因此,不同晶型的声子谱对暗物质探测的影响不大;声子谱的各向异性使得可以知道暗物质的入射方向。
# DETECTING ENERGY DEPOSITS IN SiC
TODO
# THEORETICAL FRAMEWORK
TODO
# RESULTS
TODO
# DISCUSSION
TODO
# APPENDIX A: FIRST-PRINCIPLES CALCULATION DETAILS OF ELECTRONIC AND PHONONIC PROPERTIES
TODO
# APPENDIX B: THERMAL CONDUCTANCE AND PHONON LIFETIME
TODO
# APPENDIX C: PHONON TRANSMISSION PROBABILITIES
TODO
# APPENDIX D: BRILLOUIN ZONES
TODO