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# 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究
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* 做了紫外和绿光的拉曼，但并没有追究它们明显的不同。
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* 他认为，应该将 4H-SiC 的模式分为两类，一类中 Si 之间相互保持静止、C 之间相互保持静止，称为强声子模式，进一步分为纵波和横波；另一类则是弱声子模式，分为轴向模和平面模。我没有在别的地方见过这个分类。
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* 第 16 页提到，载流子处于简并状态（浓度高）会影响等离激元的频率，才能使它与声子的频率相近。对应参考文献 47 48。同一页还提到了描述这个耦合过程的一些理论文章。
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* 19 页他提到频率最低的两个 TA 模会随 p 掺杂而变化。
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* 低温荧光光谱（LTPL）也可以无损表征载流子浓度。
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* 33 页提到 LOPC 峰在强激光下会右移。
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# Fano effect in resonant Raman spectrum of CdTe
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这篇论文测了 CdTe 的拉曼光谱。
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* 给出了一个用于拟合的 Fano 公式。拟合结果很不错。拟合时只考虑了一阶 Fano 效应。
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* 认为一些模式可能由于表面的影响，导致从非拉曼活性变为拉曼活性。通过这个来解释拟合中的一些不符合之处。
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# Review of Fluorescence Suppression Techniques in Raman Spectroscopy
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* 反 stokes 峰不受到荧光的影响。
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* 可以通过下列几个方面区分荧光和 stokes 散射：
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* 荧光散射的时间在纳秒量级，但 stokes 散射的时间在皮秒量级。（时域）
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* 根据第一点，如果调制入射光的相位和幅度，荧光散射的响应会慢很多。
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* 拉曼散射光波长对入射光敏感，但荧光不敏感。shifted excitation Raman difference spectroscopy (SERDS)
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* 拉曼散射峰更窄。（使用算法去除）
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* 表面接触金属纳米球时，荧光会减弱。
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* 使用接近禁带的激光，拉曼散射会增强。
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# Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy
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这是一个 review。主要包括三个方面的内容：
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* CVD 长 3C，用拉曼看多型（主要是其中的 6H）。
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* N 和 P 掺杂的 6H、4H 和 15 R，用拉曼看掺杂能级。
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* 看到的峰并不直接是激活能，而是不同位点之间能量的差（与自旋谷极化有关）。
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* 浅能级杂质需要 < 100 K（液 He）。深能级可以放宽一些，例如到 200 K。
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* 大多情况下，对应的峰波数很小，大约 20-50 cm^-1。
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* stokes 处存在比较宽的峰，而反 stokes 处不存在，这个被认为是自由电子的散射。
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* 通过带偏振的拉曼，可以研究这些峰的来源。
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* stokes 和 anti-stokes 峰的比值有一个理论值 $\frac{I_\text{stokes}}{I_\text{anti-stokes}} = \exp(\frac{E}{kT})$。
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* 6H 的 Si 面上长少层石墨烯，使用拉曼分析石墨烯的厚度和应变。
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# Characterization of the free‐carrier concentrations in doped β-SiC crystals by Raman scattering
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应该是第一个拟合 N 掺杂的 3C-SiC 的 LOPC 峰的文章。
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它认为，应该可以观察到一个展宽的上峰，但这个上峰在文章中并没有被观察到。
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