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Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement

Introduction

通常测试外延层电学性质的方法是 Hall 效应或 C-V 曲线，但是这都需要接触样品，并且只能测量较大范围内的平均性质。

使用拉曼测试可以测试较小范围内的情况，并且不需要预先处理。