book/SiC/The Creation of True Two-Dimensional Silicon Carbide.md

Abstract

理论研究表明，2D SiC 有稳定的平面结构，并且是直接带隙半导体。 但真正的二维 SiC 材料很难被做出来。 本论文通过 wet exfoliation 制造出了 2D SiC。 制造出来的 2D SiC 稳定，且没有裂解的迹象。 2D SiC 的拉曼也显示出不同于 3D SiC 的结果。 我们研究了厚度和 longitudinal optical (LO) Raman mode 之间的关系。 同时发现，2D SiC 可以发出可见光。

Introduction

2D SiC 的结构与石墨烯类似。

只有单层的 SiC 才是稳定的，多层（甚至只是两层）的话则会回归到 3D 结构。

Methods and Materials

Results and Discussion

TODO

Conclusions

TODO