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# Surface Kinetic Mechanisms of Epitaxial Chemical Vapour Deposition of 4H Silicon Carbide Growth by Methyltrichlorosilane-H2 Gaseous System
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这篇讲的是，使用 CH3-Si-Cl3 作为唯一源气时，4H-SiC CVD 时的表面动力学。
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提到：卤素的加入可以加速沉积，选用 Cl 是因为便宜又纯度高。
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TODO: 提到了很多研究 H-Si-C-Cl 体系的文章，可以顺着看一看。
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TODO: 提到了 tail gas test，用来确认对气体中成分的猜测是否正确。
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这个文章用 COMSOL 模拟了在 CVD 的不同空间位置（例如，衬底中心附近，衬底边缘）温度的分布，
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然后根据温度计算分子组成。
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计算分子组成的方法引用的别的文章，似乎本质上还是化学平衡常数的方法，用到的实验数据和参数也是从别的文章里拿的。
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使用的温度也与我们完全不同。
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文中声称，达到化学平衡的时间比气体流过的时间长得多，因此总是假定没有达到化学平衡。
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文中还计算了，吸附到不同位点上时的 sticking coefficient。这是怎么来的？
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