ABSTRACT

本篇是个关于 SiC 中的缺陷和杂质的总结性的文章。

INTRODUCTION

TODO: First-principles calculations indicate that the conduction-band minimum (CBM) tends to float in interstitial channels of SiC.

DOPING AND IMPURITY ENGINEERING OF 4H-SiC

Doping and impurity engineering of 4H-SiC used in modern electronics

在 h 位和 k 位的施主杂质电离能差别很大，但受主杂质的电离能几乎一样。

n 型掺杂一般使用 N，N 的浓度在很大的范围内可以控制，并且几乎全部电离。

但 Al 的电离随着掺杂浓度变化而变化，从 10^{14} cm^-3 到 10^{19} cm^-3，电离率从 90% 到 5%。如果掺杂浓度继续增加，电离率会因为 VRH 效应继续增加。

TODO: VRH 是什么？

Al 掺杂导致的是一个二重简并的能级。可以共掺一个具有相似对称性的杂质（IVB 杂质，例如 Ti），使得杂质能级互相微扰而降低 Al 的杂质能级，更容易电离。在 Si 面在富 C 的情况下，更容易掺 Al。

一些间隙位杂质（I 族）也可以被用于 p 型掺杂。

除了电离不充分，本征缺陷的补偿作用也降低了掺 Al 的效果（减少了电导率）。 VC2+ 会导致 Fermi level pinning 从而补偿。 TODO: 这是什么？l 外延后，C 离子注入并退火可以缓解这个问题。注入 H 原子也可以缓解这个问题，但 H 与 VC 形成的团簇不是热稳定的，因此需要其他方法辅助（光照射、电荷注入等）。

曾经使用钒来中和非故意掺杂。

Doping of 4H-SiC for quantum technologies

6H 中的杂质的量子特性没有被广泛研究过，因此 6H 的生长技术还不成熟。

大多数杂质的能级分裂导致的 ZPL 位于红外，因此可以用于通讯。

本文认为，可以用于发光的色心都不是热稳定的。

TODO: 哪里来的结论？

DEFECTS AND DEFECT ENGINEERING OF 4H-SiC

Zero-dimensional defects

在 p 型和 n 型的 4H-SiC 中，C 空位和 C 位 Si 是最常见的零维缺陷。

2.0 KiB Raw Permalink Blame History Unescape Escape