Fano effect in resonant Raman spectrum of CdTe

这篇论文测了 CdTe 的拉曼光谱。

给出了一个用于拟合的 Fano 公式。拟合结果很不错。拟合时只考虑了一阶 Fano 效应。
认为一些模式可能由于表面的影响，导致从非拉曼活性变为拉曼活性。通过这个来解释拟合中的一些不符合之处。

Review of Fluorescence Suppression Techniques in Raman Spectroscopy

反 stokes 峰不受到荧光的影响。
可以通过下列几个方面区分荧光和 stokes 散射：
- 荧光散射的时间在纳秒量级，但 stokes 散射的时间在皮秒量级。（时域）
- 根据第一点，如果调制入射光的相位和幅度，荧光散射的响应会慢很多。
- 拉曼散射光波长对入射光敏感，但荧光不敏感。shifted excitation Raman difference spectroscopy (SERDS)
- 拉曼散射峰更窄。（使用算法去除）
- 表面接触金属纳米球时，荧光会减弱。
- 使用接近禁带的激光，拉曼散射会增强。

Characterization of defects in silicon carbide by Raman spectroscopy

主要包括三个方面的内容：

CVD 长 3C，用拉曼看多型（主要是其中的 6H）。
N 和 P 掺杂的 6H、4H 和 15 R，用拉曼看掺杂能级。
- 看到的峰并不直接是激活能，而是不同位点之间能量的差（与自旋谷极化有关）。
- 浅能级杂质需要 < 100 K（液 He）。深能级可以放宽一些，例如到 200 K。
- 大多情况下，对应的峰波数很小，大约 20-50 cm^-1。
- stokes 处存在比较宽的峰，而反 stokes 处不存在，这个被认为是自由电子的散射。
- 通过带偏振的拉曼，可以研究这些峰的来源。
- stokes 和 anti-stokes 峰的比值有一个理论值 $\frac{I_\text{stokes}}{I_\text{anti-stokes}} = \exp(\frac{E}{kT})$。
6H 的 Si 面上长少层石墨烯，使用拉曼分析石墨烯的厚度和应变。

Characterization of the free‐carrier concentrations in doped β-SiC crystals by Raman scattering

应该是第一个拟合 N 掺杂的 3C-SiC 的 LOPC 峰的文章。它认为，应该可以观察到一个展宽的上峰，但这个上峰在文章中并没有被观察到。

Dependence of surface plasmon-phonon-polariton in 4H-SiC on free carrier concentration

当入射光在 LO 和 TO 之间的禁带时，吸收很小，同时会产生表面的声子极化模（SPhP）。这个模式的寿命比表面等离激元要长，可以用来延长表面电磁波的寿命。此外，在表面上，不仅存在 LOPC 模，等离激元也可以与 TO 耦合。

这篇文章讨论的是，声子与等离激元耦合后，再在表面或内部与电磁波耦合，所形成的模式（PPhP）的寿命。使用 4H-SiC 来研究，但结论应该是普适的。通过红外的反射谱（包括实部和虚部）和各种计算来估计，结论是掺杂会降低 PPhP 的寿命（但不一定降低它的移动距离，因为速度会增加）。引用了几个拉曼的文章，证明他的结果与拉曼中 LOPC 峰形状估计得到的寿命一致。

Raman scattering from anisotropic LO-phonon-plasmon-coupled mode in n-type 4H- and 6H-SiC

这篇文章用 LOPC 峰研究了 4H 和 6H SiC 的载流子有效质量等参数。没有更多有效的信息。有一些结论我认为不对：

他认为 LOPC 是有一个 A1、一个 E1，但我认为只有一个 A1。
他认为，最高峰右侧的小峰是 E1，但我认为可能是 A1（还需要计算来确认）。

拉曼面扫描表征氮掺杂 6H-SiC 晶体多型分布

拉曼测多型。

Study of Morphology Defects in 4H-SiC Thick Epitaxial Layers Grown on 4 off-Axis Si-face Substrates

拉曼测多型。里面有个图挺有创意。

RAMAN SCATTERING STUDY OF ACOUSTICAL AND OPTICAL FOLDED MODES IN GaAs GaAlAs SUPERLATTICES

里面给出了 folded 模式（FTA FTO 等）的定义，就是我理解的那样，这样一些论文中写的其实是错的。

Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC: Identification of stacking sequence of 10H-SiC

通过拉曼来测定 10H-SiC 的结构。具体来说，通过假定仅最近两层原子之间有相互作用，来计算理论的声子模式，并用已知结构的晶型来拟合，得到结果。然后计算各种可能的 10H 结构的声子模式，与实验结果比较。

提到了一些经验性的结论，包括：

最强的 FTA 模式对应的约化（reduced）波矢 q/q_\text{B} 等于六方率。
在 a 面入射的前提下（注意这时的 TO 和 LO 对应模式与 c 面入射不同），TO（A1）与 TO（E）的频率差值与六方率成正比。

Depth Profiling of Ion-Implanted 4H–SiC Using Confocal Raman Spectroscopy

introduction 中提到并总结了几篇之前的文章，可以抄到 introduction 里。

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