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# 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究
* 做了紫外和绿光的拉曼,但并没有追究它们明显的不同。
* 他认为,应该将 4H-SiC 的模式分为两类,一类中 Si 之间相互保持静止、C 之间相互保持静止,称为强声子模式,进一步分为纵波和横波;另一类则是弱声子模式,分为轴向模和平面模。我没有在别的地方见过这个分类。
* 第 16 页提到,载流子处于简并状态(浓度高)会影响等离激元的频率,才能使它与声子的频率相近。对应参考文献 47 48。同一页还提到了描述这个耦合过程的一些理论文章。
* 19 页他提到频率最低的两个 TA 模会随 p 掺杂而变化。
* 低温荧光光谱LTPL也可以无损表征载流子浓度。
* 33 页提到 LOPC 峰在强激光下会右移。
# Fano effect in resonant Raman spectrum of CdTe
这篇论文测了 CdTe 的拉曼光谱。

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# 碳化硅载流子浓度的拉曼光谱表征研究
* 这是一个毕业论文。
* 无损检测载流子的方法有电容电压法、霍尔效应法、SIMS。
* 他认为,应该将 4H-SiC 的模式分为两类,强声子模式(我们的强极性模式),进一步分为纵波和横波;
另一类则是弱声子模式(我们的弱极性模式),分为轴向模和平面模。
* 使用紫外拉曼,可以在低掺杂的情况下增加载流子浓度,从而产生 LOPC 峰。
## 引用
* 47-48: LOPC 的原理的细节。在简并半导体中,电荷密度的频率大约为 50 THz与 LO 频率接近。金属中电子频率要更高,因此不会耦合。
* 57-58: LOPC 本应该有两个分支,另一个由于展宽而不可见。
* 45,57,60,64-66: 在一定浓度范围内2e16-1e17LOPC 峰位与掺杂浓度的关系是线性的;浓度,就有其它的因素参与,同时出现不对称性。
* 67,71-74: 使用 FTA 模式200 附近的一对 E2的不对称性和两个峰的相对高度也可以估计掺杂浓度。

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