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@@ -82,3 +82,26 @@
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- 5-9: 使用拉曼表征 SiC 表面的组成、应变、载流子。
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- 13: 较低的温度有利于 15R 的形成。
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- 5,9,14-15: 载流子越少,LOPC 越高、越窄、越靠左。
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= Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC: Identification of stacking sequence of 10H-SiC
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使用拉曼确定 10H 的结构。
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具体来说,在计算的部分,它不是用第一性原理来计算拉曼张量的,而是用键极化率模型来估计的。
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具体的力常数的数值则是拟合出来的。它还讨论了距离较远的原子的力常数对模式的特征向量(反应在拉曼张量上)的影响。
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它将原子的位移表述为“atomic displacement pattern”,
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== 基础知识(无引用)
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- SiC 结构可以用 X 射线衍射、电子显微镜或拉曼来确定。
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== 引用
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- 1-4,7-8: 拉曼确定堆叠顺序。
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- 5-6: 拉曼获得 SiC 的各向异性信息。
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- 2: 使用色散曲线,来根据观测到的折叠模式来确定周期(但是堆叠顺序无法得知)。
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- 1-2,16-18: 使用 bond polarizability model 来估计拉曼强度。需要阅读一下 3,看它们估计得怎样。
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- 25: FTA 模式的分裂大小在实验上可以测试得到。
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- 26: 最强的 FTO 和 FTA 模式的 reduced wavevector 与六方的比例有关。
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