From f7fee5a3ecfd413c1624c7a0197f510d14e28fb0 Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: chn <chn@chn.moe>
Date: Mon, 9 Jun 2025 15:03:23 +0800
Subject: [PATCH]

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 .vscode/ltex.dictionary.en-US.txt             |  1 +
 ...C Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf |  3 ---
 第二个论文/新分类/README.typ                  | 23 +++++++++++++++++++
 ...iC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf |  3 +++
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 create mode 100644 .vscode/ltex.dictionary.en-US.txt
 delete mode 100644 第二个论文/拉曼定结构 2013 Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf
 create mode 100644 第二个论文/新分类/已分类/Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf

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index 0000000..03620d1
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+++ b/.vscode/ltex.dictionary.en-US.txt
@@ -0,0 +1 @@
+wavevector
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index 8e6ff98..0000000
--- a/第二个论文/拉曼定结构 2013 Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf	
+++ /dev/null
@@ -1,3 +0,0 @@
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-size 1507705
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index 8b2944c..87a0b7f 100644
--- a/第二个论文/新分类/README.typ
+++ b/第二个论文/新分类/README.typ
@@ -82,3 +82,26 @@
 - 5-9: 使用拉曼表征 SiC 表面的组成、应变、载流子。
 - 13: 较低的温度有利于 15R 的形成。
 - 5,9,14-15: 载流子越少，LOPC 越高、越窄、越靠左。
+
+= Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC: Identification of stacking sequence of 10H-SiC
+
+使用拉曼确定 10H 的结构。
+
+具体来说，在计算的部分，它不是用第一性原理来计算拉曼张量的，而是用键极化率模型来估计的。
+具体的力常数的数值则是拟合出来的。它还讨论了距离较远的原子的力常数对模式的特征向量（反应在拉曼张量上）的影响。
+
+它将原子的位移表述为“atomic displacement pattern”，
+
+
+== 基础知识（无引用）
+
+- SiC 结构可以用 X 射线衍射、电子显微镜或拉曼来确定。
+
+== 引用
+
+- 1-4,7-8: 拉曼确定堆叠顺序。
+- 5-6: 拉曼获得 SiC 的各向异性信息。
+- 2: 使用色散曲线，来根据观测到的折叠模式来确定周期（但是堆叠顺序无法得知）。
+- 1-2,16-18: 使用 bond polarizability model 来估计拉曼强度。需要阅读一下 3，看它们估计得怎样。
+- 25: FTA 模式的分裂大小在实验上可以测试得到。
+- 26: 最强的 FTO 和 FTA 模式的 reduced wavevector 与六方的比例有关。
diff --git a/第二个论文/新分类/已分类/Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf b/第二个论文/新分类/已分类/Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf
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index 0000000..2c1b2ba
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+++ b/第二个论文/新分类/已分类/Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC.pdf	
@@ -0,0 +1,3 @@
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