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SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.md

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+# Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC
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+这篇论文给出了 Al 重掺时的台阶形貌。他说这个形貌符合另外一个文章的预测（一篇会议文章，找不到pdf）。
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+另外它描述了外延层中的缺陷，从衬底到外延层，是如何发展的。
+在接近衬底的部分，有很多线缺陷。这些线缺陷大多会转化成层错。
+因此，在接近衬底的部分，层错的密度很高。在外延层的顶部，层错的密度会降低。
+除了转化成层错，burgers 矢量相反的线缺陷也会相互合并，这样外延层的缺陷密度会降低。
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+这些层错大多是 2SSF。
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+他还分析了“晶格常数不同导致应力，为了释放应力导致层错”这个事情。
+但它只是定性地推测了一下，用来解释实验结果，并没有给出定量的计算。
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