diff --git a/SiC/4H-SiC厚膜外延关键技术研究和器件验证.md b/SiC/4H-SiC厚膜外延关键技术研究和器件验证.md
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--- /dev/null
+++ b/SiC/4H-SiC厚膜外延关键技术研究和器件验证.md
@@ -0,0 +1,8 @@
+# 4H-SiC厚膜外延关键技术研究和器件验证
+
+## 第四章 p 型 SiC 外延生长技术
+
+这里提到一个理论，掺入 Al 原子后，晶格发生畸变。
+为了释放这个应力，产生了位错。
+这里是否可以与位错的化学势与完美晶体中插入 Al 的化学势来解释？
+这个理论来自论文 Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC
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--- /dev/null
+++ b/SiC/Mechanism of collective interstitial ordering in Fe-C alloys SUPPLEMENTARY INFORMATION.pdf	
@@ -0,0 +1,3 @@
+version https://git-lfs.github.com/spec/v1
+oid sha256:6aac98f8adc6fc0c1c40eb21d5e7e523d063054f3abf7ec572667d730df14d3d
+size 3724176
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--- /dev/null
+++ b/SiC/Mechanism of collective interstitial ordering in Fe-C alloys.md	
@@ -0,0 +1,35 @@
+# Mechanism of collective interstitial ordering in Fe-C alloys
+
+一般认为，在 Fe 中掺入 C，随着 C 浓度增加，会经历两个阶段：
+* C 浓度较低时，C 随机地分布在间隙位中，导致平均来看，晶格的 c/a 仍然是 1（Fe 本身是 bcc 结构）。
+* C 浓度较高时，C 会形成一些有序的结构，有更倾向于占据的位置，这时晶格的 c/a 会大于 1，且会随着 C 浓度的增加而线性增加。
+
+晶格的 c/a 可以通过实验测量，的确是类似这样的。
+
+但存在的问题有：
+* 这个具体的相变点在哪里？（对应的 C 浓度）
+* 有理论认为，C 可能会出现在晶界等缺陷处，这如何与实验观察到的相吻合？
+
+这篇文章认为，随着 C 浓度增加，会经历下面四个阶段：
+* 位错处的 C 化学势最低，C 会优先占据位错处直到占满。这个阶段大约会消耗 0.8% 的 C。
+* 然后位错会占据随机（无序）的位置，直到达到一个临界状态。这个阶段大约会消耗 0.8% 的 C。
+* 在这之后，有序位置的化学势会低于无序位置但高于缺陷，因此 C 会倾向于占据有序位置。这个阶段大约会消耗 1% 的 C。这个阶段开始，c/a 会增加。
+* 再之后，有序位置的化学势会低于缺陷，因此原本占据缺陷的 C 会转移到有序位置。
+  在这个阶段的开始处，c/a 会有一个突变，并使得它减一的值与 C 浓度成正比。
+
+为了计算这个结论，作者在两个方面发力。
+一方面是，点缺陷（C 位于晶格而不是缺陷中时）之间的相互影响（能量），进而估计这种情况下的化学势。
+另一方面是，位错中 C 的化学势。
+
+## 点缺陷相互作用能
+
+作者首先提到了这样一个经典的模型：描述两个不同的点缺陷之间相互作用的能量时，使用下面的式子：
+
+$$
+  V_{mn} = -\frac1N \sum_q F_m(q)G(q)F_n^\text T(q)\exp(iq\cdot R_{mn})
+$$
+
+注意这里仅仅是指点缺陷之间相互作用的能量，它们本身嵌入晶格的能量不计算在内。
+并且这里只考虑了长程的作用（通过晶格畸变而传导的那部分能量），通过电荷相互作用而导致的能量完全没有考虑。
+
+
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index 0000000..500b839
--- /dev/null
+++ b/SiC/Mechanism of collective interstitial ordering in Fe-C alloys.pdf	
@@ -0,0 +1,3 @@
+version https://git-lfs.github.com/spec/v1
+oid sha256:d52d2fd2fdce6813c623d0250127f5cd56227fbca367c21e13d6052f11f90a7c
+size 2158369
diff --git a/SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.md b/SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.md
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--- /dev/null
+++ b/SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.md	
@@ -0,0 +1,16 @@
+# Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC
+
+这篇论文给出了 Al 重掺时的台阶形貌。他说这个形貌符合另外一个文章的预测（一篇会议文章，找不到pdf）。
+
+另外它描述了外延层中的缺陷，从衬底到外延层，是如何发展的。
+在接近衬底的部分，有很多线缺陷。这些线缺陷大多会转化成层错。
+因此，在接近衬底的部分，层错的密度很高。在外延层的顶部，层错的密度会降低。
+除了转化成层错，burgers 矢量相反的线缺陷也会相互合并，这样外延层的缺陷密度会降低。
+
+这些层错大多是 2SSF。
+
+他还分析了“晶格常数不同导致应力，为了释放应力导致层错”这个事情。
+但它只是定性地推测了一下，用来解释实验结果，并没有给出定量的计算。
+
+
+
diff --git a/SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.pdf b/SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.pdf
new file mode 100644
index 0000000..145d896
--- /dev/null
+++ b/SiC/Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC.pdf	
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+version https://git-lfs.github.com/spec/v1
+oid sha256:83f07909d94029134d28a5016e6e592f5044374c891dff27a43a43aa595c6220
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