add Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide

quantum information/Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide.md

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+# abstract
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+确定量子比特的微观结构是很重要的事情。
+SiC 中 Si 空位有 3/2 自旋的基态和激发态，因此受到关注。
+然而，目前关于 Si 空位的具体结构，有两种看法。
+本文通过高精度的第一性原理计算和高分辨率的电子自旋共振谱，唯一确定了 Si 空位的结构，并讨论了它的性质。
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+# 第一段
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+固体中的点缺陷在量子信息处理（QIP）和纳米探测的方面有重要的应用前景。
+通常来说，使用其中的电子自旋作为量子比特。
+一些点缺陷有较长的相干时间，其中一些甚至可以在室温下保持相干。
+这些电子的自旋状态可以通过光学的方法来读出。
+其中包括 4H- 和 6H-SiC 中的 Si 空位，它们有较好的自旋性质，并且在室温下可以保持单个缺陷的相干。
+在 4H- 和 6H-SiC 中，已经发现了分别两种和三种与 Si 空位有关的色心，它们的 PL 谱被记为 V1、V2 和 V3。
+其中，4H-SiC 中的 V2 和 6H-SiC 中的 V2 和 V3 的谱都足够强，可以通过 ODMR（optically detected magnetic resonance）来测量它们的自旋。
+4H-SiC 中的 V2 色心已经被用于磁场传感器和纳米温度计和微波激射器。
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+# 第二段
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