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陈浩南 2024-03-13 20:59:37 +08:00
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@ -32,5 +32,20 @@ SiC 的 Si 空位有近简并的四重基态,它有一些独特的性质,
其中SiC 中的 Si 空位因为有小的 ZFS 和四重态的近简并,在低磁场下有应用前景。
对于这些应用,需要详细地理解弛豫的过程。
Si 空位因为自旋四重态受到了很多研究。
近年来Si 空位在不同温度下的弛豫动力学被研究了。
基于自旋弛豫的传感也被提出用于温度传感和磁场测量,基于自旋能级反交错的行为。
然而,环境中的自旋耦合影响导致的弛豫过程收到了较少的关注,
但这对各种基于自旋弛豫的应用都是很重要的。
近期的理论发展使得可以进行关于纵向自旋弛豫的一些计算,包括 temperature-dependent spin-lattice relaxation
和 magnetic-field-dependenl dipolar spin relaxation induced by local environmental spins。
本文研究了 4H 中 V1 和 V2 磁场和附近环境(核自旋)对自旋的影响。
我们考虑的附近环境包括 C13 Si29 和自旋 1/2 和自旋 1 的点缺陷,以及不同的聚集度。
我们考虑了最可几能级反交错LAC在这些地方环境自旋可以有效地使自旋弛豫并且定量计算了弛豫时间。
我们发现了几个窄共振,在这之中,只需要外加一个很小的磁场,自旋弛豫时间就可以改变几个数量级。
基于这些观察,我们提出可以把它用作生物传感,并且估计了它的敏感度。