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@ -32,5 +32,20 @@ SiC 的 Si 空位有近简并的四重基态,它有一些独特的性质,
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其中,SiC 中的 Si 空位因为有小的 ZFS 和四重态的近简并,在低磁场下有应用前景。
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对于这些应用,需要详细地理解弛豫的过程。
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Si 空位因为自旋四重态受到了很多研究。
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近年来,Si 空位在不同温度下的弛豫动力学被研究了。
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基于自旋弛豫的传感也被提出用于温度传感和磁场测量,基于自旋能级反交错的行为。
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然而,环境中的自旋耦合影响导致的弛豫过程收到了较少的关注,
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但这对各种基于自旋弛豫的应用都是很重要的。
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近期的理论发展使得可以进行关于纵向自旋弛豫的一些计算,包括 temperature-dependent spin-lattice relaxation
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和 magnetic-field-dependenl dipolar spin relaxation induced by local environmental spins。
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本文研究了 4H 中 V1 和 V2 磁场和附近环境(核自旋)对自旋的影响。
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我们考虑的附近环境包括 C13 Si29 和自旋 1/2 和自旋 1 的点缺陷,以及不同的聚集度。
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我们考虑了最可几能级反交错(LAC),在这些地方环境自旋可以有效地使自旋弛豫,并且定量计算了弛豫时间。
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我们发现了几个窄共振,在这之中,只需要外加一个很小的磁场,自旋弛豫时间就可以改变几个数量级。
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基于这些观察,我们提出可以把它用作生物传感,并且估计了它的敏感度。
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