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陈浩南 2024-03-12 21:38:31 +08:00
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# abstract
顺磁缺陷和核自旋是点缺陷量子比特磁场相关自旋弛豫的主要来源。
顺磁缺陷(带自旋的电子能级)和核自旋是点缺陷量子比特磁场相关自旋弛豫的主要来源。
相关光信号的探测已经导致了高空间分辨率的弛豫测量的发展。
在这之中SiC 的近简并四重基态的 Si 空位量子比特引起了特别的兴趣。
因为它有在几乎零磁场下相当小的自旋弛豫速率,并且在生物组织的第一近红外窗口中发射。
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本文中,我们展现了与磁场和 spin-bath-dependent 弛豫时间 $T_1$ 的详尽的理论研究,
表名 SiC 中的 Si 空位量子比特有潜力作为无微波的低磁场磁力计。
TODO: spin-bath 是什么东西?
翻译:
关于点缺陷量子比特、磁场、自旋相关的东西主要有两个方面,一个是原子核的自旋,一个是电子的自旋。
SiC 的 Si 空位有近简并的四重基态,它有一些独特的性质,
包括在不需要外加磁场的情况下较长的自旋弛豫时间,以及发射的微波在生物组织的第一近红外窗口中。
但这个弛豫的过程还没有被完全探索。
这篇文章讨论了相关机理,并且定量讨论了影响自旋弛豫时间的因素(包括磁场和自旋浴)。
通过这些研究,我们发现 SiC 中的 Si 空位可以作为低磁场磁力计。
# INTRODUCTION
由于鲁棒性、敏感性和多功能性,点缺陷量子比特在量子传感方面有广泛的潜在应用。
许多方面的多学科交叉应用,对这些器件提出了新的要求。
一直在寻找可以满足这些要求的理想的点缺陷。
金刚石中的 NV 是一个很好的选择,最近有用它来做高温、无微波的传感。
然而它需要足够大的磁场来产生足够大的 ZFS。
磁场可能会影响样品并影响测量,所以最好不要需要外加磁场。
其它点缺陷没有被探索用于基于自旋的传感。
其中SiC 中的 Si 空位因为有小的 ZFS 和四重态的近简并,在低磁场下有应用前景。
对于这些应用,需要详细地理解弛豫的过程。