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SiC/Effect of step edges on the adsorption behavior on vicinal AlN(0001) surface during metal-organic vapor phase epitaxy: An ab initio study.md

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+# Effect of step edges on the adsorption behavior on vicinal AlN(0001) surface during metal-organic vapor phase epitaxy: An ab initio study

分子动力学/Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon, and silicon carbide.md

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+# Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon, and silicon carbide
+
+这里重新拟合了各个参数，并将 Si-C 对的参数单独拿出来拟合而不是直接使用 Si 和 C 的平均值。
+拟合时主要使用了纯 Si、纯 C 和 3C-SiC。截断取得也不算很大，最大的为 Si-Si 2.96 Å。

分子动力学/Carbon Defects and Defect Reactions in Silicon.md

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+# Carbon Defects and Defect Reactions in Silicon
+
+这是 `tersoff_1990` 的来源。
+与 `tersoff_1989` 不同，这个势是用来研究 Si 中的 C 缺陷的，并且替换了 C 部分的参数，使得它能够较好地描述金刚石中的空位能量。同时将截断函数替换为硬截断函数（2.5 Å）。

分子动力学/Chemical order in amorphous silicon carbide.md

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+# Chemical order in amorphous silicon carbide
+
+这是 `tersoff_1994` 的来源。与 `tersoff_1990` 不同，这个势是用来研究非晶态 SiC 的，它修改了截断函数的范围，并且调整了 $\chi_\text{Si C}$ 的值，用于研究非晶态 SiC 中的化学序（Chemical order）。

分子动力学/Empirical Interatomic Potential for Carbon, with Applications to Amorphous Carbon.md

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+# Empirical Interatomic Potential for Carbon, with Applications to Amorphous Carbon
+
+这个是 `tersoff_1989` 的 C 部分。
+使用几个实际存在的和假想的晶型，以及金刚石的晶格常数和体积模量来拟合。

分子动力学/Empirical interatomic potential for silicon with improved elastic properties.md

@@ -0,0 +1,4 @@
+# Empirical interatomic potential for silicon with improved elastic properties
+
+这是 `tersoff_1988` 的 Si 部分。使用 elasticity tensor 来拟合。
+

分子动力学/Empirical potential approach for defect properties in 3C-SiC.md

@@ -0,0 +1,4 @@
+# Empirical potential approach for defect properties in 3C-SiC
+
+其实还是 tersoff 那一套。拟合用来描述纯 Si、纯 C、和 3C-SiC 中间隙位杂质的势。
+截断能也取得很小（2.5 Å）。

分子动力学/Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems.md

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+# Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems
+
+这个是 `tersoff_1989` 势。
+
+$$
+  E = \frac12 \sum_{i\neq j} V_{ij} \\
+  V_{ij} = f_{\text C}(r_{ij})(f_{\text R}(r_{ij}) + b_{ij}f_{\text A}(r_{ij}))
+$$
+
+其中 $f_C(r)$ 是平滑截断函数，对于 Si 来说是在 2.7 到 3 A 之间截断，对于 C 来说是在 1.8 到 2.1 A 之间截断。
+$f_R(r)$ 是排斥部分，$f_A(r)$ 是吸引部分，它们都是一个简单的指数函数。
+$b_{ij}$ 是一个用于修正多个原子时的吸引部分的参数。它的表达式较为复杂，并且考虑了三体势（考虑了键与键之间的夹角）。
+
+这个势是先对单质 C 和单质 Si 进行拟合（各使用几个参数，不太多，不超过 10 个），
+  然后使用仅仅一个参数 $\chi_{\text{Si C}}$ 来拟合 SiC 中的情况（这个参数在 $b_{ij}$ 中）；
+计算 Si-C 键的能量时，使用的其它参数直接取 Si 和 C 的参数的平均值（算术平均或几何平均）。
+
+这个截断取得非常短，导致完全不能区分 SiC 的晶型（作者原话）。
+$\chi_{\text{Si C}}$ 本身是使用 3C-SiC 的形成能来拟合的。

分子动力学/Molecular dynamics determination of defect energetics in beta-SiC using three representative empirical potentials.md

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+# Molecular dynamics determination of defect energetics in beta-SiC using three representative empirical potentials
+
+这个是 SiC MEAM 的来源。
+
+MEAM 的拟合比较复杂，有空再看。
+它也是通过先分别拟合 Si 和 C，然后再选取少数几个参数拟合 SiC。