add note

SiC/Selective Doping in Silicon Carbide Power Devices.md

@@ -35,4 +35,23 @@ TODO: 退火发生在哪一步？是外延中掺杂之后也需要退火，还
 
 低温下，离子注入的浓度有极限，高的离子浓度需要高温下的离子注入。
 
+对于 n 型掺杂，P 比 N 容易掺，有激活浓度的上限，有研究认为是因为 N 会形成 N2 相关的团簇。这导致 N 掺杂有激活的上限。
+  而 p 掺杂激活的上限就高一些。
+
+因此，一般用 P 注入来制作 n 型 MOSFET。注入时温度被限制在 500 摄氏度，以避免形成退火无法修复的延展型缺陷。
+
+使用 C 共同注入可以增加 Al 或者 B 的激活率（增加间隙 C 使得 Al 或者 B 更容易占据 Si 位），反过来使用 Si 共同注入会减少激活率。
+在 Al 注入浓度不太高的情况下，C 可以提高 Al 的激活率，但在 Al 浓度很高的情况下，C 的影响就不明显了。
+然而，这些结果都还有争议，因此在实际器件的制造中，还需要进一步的研究。
+
+从另一个角度来说，杂质激活的上限受制于深能级在辐射和退火中的形成（主要是 Al 的掺杂），从而导致可用的载流子减少。
+
+关于退火的时间，在足够长的时间后会达到平衡，一般可以取 1600 摄氏度下 30 分钟的退火时间。
+
+也有研究表明，对于 Al 原子，尽管退火时间延长并不会增加它占据 Si 位的概率，但会减少补偿杂质的浓度从而提高激活率。
+
+# Surface Roughness of SiC Implanted Layers
+
+高温会导致表面退化。
+