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637af1b9d7
@ -35,4 +35,23 @@ TODO: 退火发生在哪一步?是外延中掺杂之后也需要退火,还
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低温下,离子注入的浓度有极限,高的离子浓度需要高温下的离子注入。
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低温下,离子注入的浓度有极限,高的离子浓度需要高温下的离子注入。
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对于 n 型掺杂,P 比 N 容易掺,有激活浓度的上限,有研究认为是因为 N 会形成 N2 相关的团簇。这导致 N 掺杂有激活的上限。
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而 p 掺杂激活的上限就高一些。
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因此,一般用 P 注入来制作 n 型 MOSFET。注入时温度被限制在 500 摄氏度,以避免形成退火无法修复的延展型缺陷。
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使用 C 共同注入可以增加 Al 或者 B 的激活率(增加间隙 C 使得 Al 或者 B 更容易占据 Si 位),反过来使用 Si 共同注入会减少激活率。
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在 Al 注入浓度不太高的情况下,C 可以提高 Al 的激活率,但在 Al 浓度很高的情况下,C 的影响就不明显了。
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然而,这些结果都还有争议,因此在实际器件的制造中,还需要进一步的研究。
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从另一个角度来说,杂质激活的上限受制于深能级在辐射和退火中的形成(主要是 Al 的掺杂),从而导致可用的载流子减少。
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关于退火的时间,在足够长的时间后会达到平衡,一般可以取 1600 摄氏度下 30 分钟的退火时间。
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也有研究表明,对于 Al 原子,尽管退火时间延长并不会增加它占据 Si 位的概率,但会减少补偿杂质的浓度从而提高激活率。
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# Surface Roughness of SiC Implanted Layers
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高温会导致表面退化。
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